[发明专利]对于外部供应电压、温度及工序具有补偿的振荡电路

权利要求书

1.一种振荡电路，具有对外部供应电压、温度以及工序的补偿，其特征在于，包括：

基准电压产生部，生成对于外部供应电压(VDD)和温度的变化稳定的基准电压(Vbp)；

温度补偿部，接收所述基准电压(Vbp)，以生成对于温度的变化分别补偿为增大或减小的第一基准电压(PVREF)、第二基准电压(IVREF)以及第三基准电压(RX_VREF)；

内部供应电压产生部，接收所述第一基准电压(PVREF)，以生成对于外部供应电压(VDD)和温度的变化稳定的内部供应电压(VPPI)；

电流供应部，接收所述第二基准电压(IVREF)，以生成对温度成正比或成反比的补偿电流(RX_IREF)；

工序补偿部，调节所述补偿电流(RX_IREF)的量，以实施工序补偿；以及

振荡信号产生部，产生振荡信号。

2.根据权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，

所述温度补偿部分别向所述内部供应电压产生部供应所述第一基准电压(PVREF)，向所述电流供应部供应所述第二基准电压(IVREF)，向所述振荡信号产生部供应所述第三基准电压(RX_VREF)。

3.根据权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，

所述内部供应电压产生部向所述电流供应部、所述工序补偿部以及所述振荡信号产生部分别供应所述内部供应电压(VPPI)。

4.根据权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，

所述振荡信号产生部接收所述内部供应电压(VPPI)、所述第三基准电压(RX_VREF)以及所述补偿电流(RX_IREF)，从而生成预定大小的振荡信号。

5.根据权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，所述电流供应部包括：

PMOS晶体管，串联在所述内部供应电压(VPPI)与地线之间；以及

运算放大器，接收所述第二基准电压(IVREF)和位于所述PMOS晶体管的漏(D)端子与地线之间的节点(N1)的电压。

6.根据权利要求5所述的振荡电路，其特征在于，所述电流供应部还包括：

工序补偿电路，连接在所述节点(N1)和所述地线之间

7.根据权利要求6所述的振荡电路，其特征在于，所述工序补偿电路包括：

多个电阻。

8.根据权利要求7所述的振荡电路，其特征在于，

所述工序补偿电路通过调整与所述多个电阻对应的数字编码值以控制所述多个电阻的总体电阻值，从而调节所述补偿电流(RX_IREF)。

9.根据权利要求8所述的振荡电路，其特征在于，

所述补偿电流(RX_IREF)的值为其中，a定义为由温度变化引起的所述第二基准电压(IVREF)的变化值。

10.根据权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，所述振荡信号产生部包括：

第一电容器和第二电容器，接收所述内部供应电压(VPPI)，以分别充电；

第一比较仪和第二比较仪，将所述第三基准电压(RX_VREF)与分别给所述第一电容器和第二电容器充电的电压进行比较并予以输出；

电流源，使给所述第一电容器和第二电容器充电的所述补偿电流(RX_IREF)稳定地放电；

重置电路，分别给所述第一电容器和第二电容器充电；以及

输出脉冲产生器，生成脉冲并予以输出。

11.根据权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，

所述基准电压产生部使用带隙参考电路或者β乘法器参考电路。

12.根据权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，所述基准电压产生部包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管以及运算放大器，并且通过所述运算放大器的输出电压控制所述第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的栅极，使得流过对所述外部供应电压(VDD)和温度的变化稳定的电流。

13.根据权利要求12所述的振荡电路，其特征在于，

将所述输出电压用作所述基准电压(Vbp)。

14.根据权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，

所述内部供应电压产生部包括运算放大器、第一电阻(R1)和第二电阻(R2)，所述运算放大器通过第一输入端接收所述第一基准电压(PVREF)，并且通过第二输入端接收在与接地部连接的所述第二电阻(R2)两端的电压，并互相比较，然后输出所述内部供应电压(VPPI)。