[发明专利]静电容量式触摸传感器、电子设备和透明导电膜层压体的制造方法

权利要求书

1.一种静电容量式触摸传感器，包括：

透明的塑料制薄片；

透明导电膜层，形成在所述塑料制薄片上；

透明的粘结层，按照覆盖所述透明导电膜层的方式形成在所述透明导电膜层上；

其中，所述塑料制薄片的水蒸气透过率为1g/(m²·day·atm)以下，且波长为550nm中的面内方向相位差值为20nm以下。

2.根据权利要求1所述的静电容量式触摸传感器，其特征在于，还包括：

相位差薄膜，配置在所述粘结层的与所述塑料制薄片相反的一侧；

偏振光薄膜，配置在所述相位差薄膜上。

3.根据权利要求1或2所述的静电容量式触摸传感器，其特征在于，所述塑料制薄片包括：

透明的塑料制基体片，在其一个面上形成所述透明导电膜层，波长为550nm中的面内方向相位差值为20nm以下；

透明的保护片，配置在所述基体片的另一个面上，水蒸气透过率为1g/(m²·day·atm)以下，且波长为550nm中的面内方向相位差值为20nm以下。

4.根据权利要求3所述的静电容量式触摸传感器，其特征在于，所述保护片由环烯烃类树脂形成。

5.根据权利要求4所述的静电容量式触摸传感器，其特征在于，所述基体片由聚碳酸酯类树脂形成。

6.根据权利要求3至5任一项所述的静电容量式触摸传感器，其特征在于，所述保护片形成为立体形状而覆盖所述粘结层的侧面。

7.根据权利要求1或2所述的静电容量式触摸传感器，其特征在于，所述塑料制薄片是水蒸气透过率为1g/(m²·day·atm)以下，且波长为550nm中的面内方向相位差值为20nm以下的透明的基体片。

8.根据权利要求7所述的静电容量式触摸传感器，其特征在于，所述基体片由环烯烃类树脂形成。

9.根据权利要求7或8所述的静电容量式触摸传感器，其特征在于，所述基体片形成为立体形状而覆盖所述粘结层的侧面。

10.根据权利要求1至9任一项所述的静电容量式触摸传感器，其特征在于，还包括：

光学各向同性薄片，配置在所述粘结层上，波长为550nm中的面内方向相位差值为20nm以下；

其它透明导电膜层，形成在所述光学各向同性薄片上；

透明的其它粘结层，形成在所述其它透明导电膜层上。

11.一种电子设备，包括：

壳体；

显示装置，配置在所述壳体内；

根据权利要求1至10任一项所述的静电容量式触摸传感器，配置在所述壳体内的所述显示装置上。

12.一种透明导电膜层压体的制造方法，包括：

配置透明基体片工序，在水蒸气透过率为1g/(m²·day·atm)以下，且波长为550nm中的面内方向相位差值为20nm以下的透明的塑料制保护片上配置波长为550nm中的面内方向相位差值为20nm以下的透明基体片；

导电膜层形成工序，在所述基体片上形成透明导电膜层；

粘结层形成工序，在所述透明导电膜层上按照覆盖所述透明导电膜层的方式形成透明的粘结层；

侧面覆盖工序，用所述保护片覆盖所述粘结层的侧面。

13.根据权利要求12所述的透明导电膜层压体的制造方法，其特征在于，在所述覆盖工序之前还包括将所述保护片成形为立体形状的成形工序。

14.一种透明导电膜层压体的制造方法，包括：

导电膜层形成工序，在水蒸气透过率为1g/(m²·day·atm)以下，且波长为550nm中的面内方向相位差值为20nm以下的透明的塑料制基体片上形成透明导电膜层；

粘结层形成工序，在所述透明导电膜层上按照覆盖所述透明导电膜层的方式形成透明的粘结层；

侧面覆盖工序，用所述基体片覆盖所述粘结层的侧面。

15.根据权利要求14所述的透明导电膜层压体的制造方法，其特征在于，在所述覆盖工序之前还包括将所述基体片成形为立体形状的成形工序。