[发明专利]DBD电极的极化方法和装置有效
申请号: | 201080053108.7 | 申请日: | 2010-11-23 |
公开(公告)号: | CN102668721A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | E·米歇尔;E·蒂克霍;J·勒克莱尔克 | 申请(专利权)人: | 旭硝子欧洲玻璃公司 |
主分类号: | H05H1/24 | 分类号: | H05H1/24 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘敏 |
地址: | 比利时*** | 国省代码: | 比利时;BE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | dbd 电极 极化 方法 装置 | ||
1.用于通过能够产生丝状等离子体的介质阻挡放电来处理基体的表面的装置,所述装置包括反应室,所述反应室包括混合物,所述混合物的成分使得在接触等离子体后混合物分解并产生能够在基体上大部分或全部沉积成涂层的品种,其中之一带有高压AC的至少两个电极布置在所述反应室中,所述至少两个电极位于基体的两侧,至少一介质阻挡(DBD)布置在所述至少两个电极之间;并且所述装置包括具有次级电路的THT/HF变压器,
其特征在于,一直流电源(DC)串联插在所述次级电路中,使得在等离子体中产生的呈正电离子或负电离子形式的化学品种被靶基体有选择地吸引并且被带有相应电荷的电极排斥,所述靶基体进入所述反应室中并布置在所述至少两个电极之间。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,插在THT变压器的HF电路中的DC电源在1kV-15kV之间。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,插在THT变压器的HF电路中的DC电源产生的DC电压在15.1kV-100kV之间。
4.如权利要求3所述的装置,其特征在于,由DC电源产生的DC电压在20kV-100kV之间,更优选在20kV-80kV之间。
5.如上述权利要求中任一项所述的装置,其特征在于,借助通过取自THT发生器的一部分THT/HF电压直接供电的整流电路得到DC电源。
6.如上述权利要求中任一项所述的装置,其特征在于,所述装置包括转换器,所述转换器能够转换正极和负极,以便使电极相对所述靶基体或者正极化或者负极化。
7.如上述权利要求中任一项所述的装置,其特征在于,所述装置包括极化电压的调节部件,使得所述极化电压允许等离子体只能在正的或负的半交流半周上起弧,极化使得等离子体产生在电极具有与负责涂层沉积的化学品种相反的符号时产生负责涂层沉积的化学品种。
8.如上述权利要求中任一项所述的装置,其特征在于,DC电源的极性被一电容器短路,该电容器的阻抗比放电元件构成的电容器的阻抗小至少1000倍。
9.如上述权利要求中任一项所述的装置,其特征在于,所述装置包括隔直流电容器,所述隔直流电容器与所述变压器直接串联布置,以避免电流的直流分量干扰所述THT/HF变压器的运行。
10.在无机基体上沉积涂层的方法,其特征在于,所述方法包括以下操作:
-使基体进入反应室中或使基体在所述反应室中行进,定位在基体的两侧的至少两个电极布置在所述反应室中,至少一介质阻挡布置在所述至少两个电极之间;
-使幅度和频率稳定的电源运行,所述幅度和频率稳定的电源包括特高压(THT)和高频(HF)变压器,所述特高压和高频变压器包括次级电路,所述至少两个电极与所述次级电路的端子连接;
-在所述特高压和高频变压器的次级电路中产生具有稳定高频值的电压,使得具有稳定高频值的电压在所述反应室中在所述至少两个电极之间产生丝状等离子体,所述丝状等离子体由电子、中性品种、正离子和负离子、稳定和激发状态的品种组成;
-使与THT/HF变压器串联布置的直流电源(DC)运行——所述直流电源用于产生与由变压器产生的交流电压重迭的直流电压,以便按照所述交流电压的值增加基体的极性并减小电极的极性,或者反之亦然;
-在所述反应室中引入混合物,所述混合物的成分使得与等离子体接触后混合物分解并产生能够在基体上大部分或全部沉淀成涂层的品种;
-使基体在所述反应室中保持足够的一时间间隔,以便在其表面的至少一个上得到所希望厚度的涂层。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述方法另外包括以下操作:
-调节DC电源的值,使得交流电压在极性方向之一中达不到起弧的值。
12.如权利要求10或11所述的方法,其特征在于,所述方法包括使极性相对基体反向。
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