[发明专利]逆变器的功率开关系统

权利要求书

1.用于逆变器尤其是驱动逆变器的功率开关系统（1），其中，所述功率开关系统（1）具有功率半导体开关（2）以及布置在所述功率半导体开关（2）上的保护电路（3）以防止能与所述功率半导体开关连接的交流马达（5）的电压反向作用，其中，所述功率半导体开关（2）具有控制输入端（2a）以及输入端（2b）和输出端（2c），其特征在于，所述保护电路（3）具有由齐纳二极管（7）和第一欧姆电阻器（8）组成的、在所述输入端（2b）与所述控制输入端（2a）之间联接的串联电路，以及由第二欧姆电阻器（9）和二极管（10）组成的、在所述控制输入端（2a）与所述输出端（2c）之间联接的串联电路。

2.根据权利要求1所述的功率开关系统（1），其特征在于，所述齐纳二极管（7）以截止方向布置在所述功率半导体开关（2）的输入端（2b）与控制输入端（2a）之间。

3.根据权利要求1或2所述的功率开关系统（1），其特征在于，所述二极管（10）以导通方向布置在所述功率半导体开关（2）的控制输入端（2a）与输出端（2c）之间。

4.根据前述权利要求之一所述的功率开关系统（1），其特征在于，所述保护电路（3）具有恰好一个齐纳二极管（7）和/或恰好一个二极管（10）。

5.根据前述权利要求之一所述的功率开关系统（1），其特征在于，所述保护电路（3）具有恰好一个第一欧姆电阻器（8）和/或恰好一个第二欧姆电阻器（9）。

6.根据前述权利要求之一所述的功率开关系统（1），其特征在于，所述功率半导体开关（2）是具有绝缘栅极的双极型晶体管（IGBT），其中，所述输入端（2b）构造为集电极，所述控制输入端（2a）构造为栅极，所述输出端（2c）构造为发射极。

7.根据前述权利要求之一所述的功率开关系统（1），其特征在于，所述功率半导体开关（2）是场效应晶体管（FET），尤其是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其中，所述输入端（2b）构造为漏极，所述控制输入端（2a）构造为栅极，并且所述输出端（2c）构造为源极。

8.逆变器，所述逆变器用于为交流马达（5）尤其是机动车驱动马达供给电能，其中，所述逆变器具有半桥（4a、4b、4c），用于与所述交流马达（5）的绕组支路（5a、5b、5c）连接，其特征在于，所述半桥（4a、4b、4c）具有根据权利要求1至7之一所述的功率开关系统（1）。

9.根据权利要求8所述的逆变器，其特征在于，所述逆变器的每个半桥（4a、4b、4c）各具有一个功率开关系统（1）。

10.根据权利要求8或9之一所述的逆变器，其特征在于，所述半桥（4a、4b、4c）具有用于交流马达（5）的支路（5a、5b、5c）的电接头，所述电接头与所述功率开关系统（1）的功率半导体开关（2）的输入端（2b）电连接。

11.根据权利要求8至10之一所述的逆变器，其特征在于，一个半桥（4a、4b、4c）具有两个功率开关系统（1）。

12.机动车驱动系统，所述机动车驱动系统包含交流马达（5），借助于逆变器为所述交流马达供给电能，其中，所述逆变器为了所述交流马达（5）的能量供给具有桥式电路（4），其特征在于，所述桥式电路（4）具有根据权利要求1至7之一所述的功率开关系统（1）。

13.根据权利要求12所述的驱动系统，其特征在于，所述交流马达（5）是同步马达，尤其是车辆驱动马达。

14.根据权利要求12或13所述的驱动系统，其特征在于，所述交流马达（5）是永磁激励的马达或他励的马达。

15.根据权利要求12至14之一所述的驱动系统，其特征在于，所述桥式电路（4）具有带功率开关系统（1）的半桥（4a、4b、4c）。