[发明专利]多元件X射线辐射探测器、用于其的稀土X射线发光体和用于将多元件闪烁器和探测器形成为整体的方法有效
申请号: | 201080046176.0 | 申请日: | 2010-08-13 |
公开(公告)号: | CN102763004A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | N·P·索斯金;V·N·乌拉休科 | 申请(专利权)人: | 科学生产商业公司爱达尔股份有限公司;“STC-MT”有限责任公司 |
主分类号: | G01T1/20 | 分类号: | G01T1/20;C09K11/04 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;韩宏 |
地址: | 俄罗斯联*** | 国省代码: | 俄罗斯;RU |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多元 射线 辐射 探测器 用于 稀土 发光体 闪烁 形成 整体 方法 | ||
1.一种多元件X射线探测器,包括:板式多元件闪烁器,所述板式多元件闪烁器将落到所述闪烁器的外表面上的X射线转换为可见光;以及光电探测器矩阵,所述光电探测器矩阵与所述闪烁器的发射表面光学接触并且将所述闪烁器的内表面上发射的光辐射转换为电信号;
所述多元件X射线探测器的主要特征在于:
所述多元件闪烁器组合定位于由X射线吸收和光反射金属制成的网格的单元中的异相发光元件的离散集,且所述网格具有每个特定发光元件的间隔、横截面和互连厚度的几何尺寸,并且与光电探测器矩阵的动作相符;所述金属网格的后侧具有反射层,而其前表面具有与发光探测器成元件到元件接触的多元件半导体矩阵;这些接触的元件由能量为30至140keV的X射线辐射同时激发。
2.如权利要求1所述的多元件X射线探测器,其中,所述金属网格由原子序数在N=24至N=74之间的元素制成,其中所述网格尺寸为每1mm2-4、20-40或40-60匝。
3.如权利要求1所述的多元件X射线探测器,其中,所述X射线敏感层是包括通过由原子序数为24至74的元素制成的金属网格的单元来设置的X射线发光层的多元件马赛克。
4.如权利要求1所述的多元件X射线探测器,其中,其后表面涂覆有至厚的双层反射膜,而在所述探测器上具有小于厚的金属银层,所述金属银层外涂覆有小于厚的反射铝层。
5.如权利要求1所述的多元件X射线探测器,其中,所述网格匝电涂覆有小于厚的反射银层。
6.如权利要求1所述的多元件X射线探测器,其中,金属编织的、缠绕的或电沉积的网格片用于产生所述探测器的X射线敏感层的单元式多元件结构,其特征为大于48%(基本地,大于61%)的“真实横截面”以及每1mm网格片长度大于3条线。
7.如权利要求1所述的多元件X射线探测器,其中,使用由不锈钢、镍或青铜制成且具有低于64.5%的“真实横截面”的编织网格片,或使用由钨线制成且具有低于85%的“真实横截面”的缠绕的网格片,用于金属网格。
8.如权利要求1所述的多元件X射线探测器,其中,其X射线敏感层由折射率为n=1.59至1.60的聚碳酸酯提供的分散介质制成,其封装包括折射率n=2.2的稀土X射线发光颗粒的所述分散介质。
9.如权利要求1所述的多元件X射线探测器,其中,利用模铸的生产方法,该生产方法包括在光电探测器矩阵的表面上的聚合物粘结剂的溶液中分布X射线发光液体悬浮物,所述聚合物粘结剂是分子量为M=10000-15000碳单位,溶解在诸如二氯甲烷的低沸点溶剂中的聚碳酸酯;X射线发光粉末占到所述聚合物的质量的20至56%。
10.如权利要求1所述的多元件X射线探测器,其中,由多层非晶硅或多晶硅通过光刻工艺和化学蚀刻制成探测器矩阵。
11.如权利要求1所述的多元件X射线探测器,其中,X射线敏感层直接应用于其上固定有金属网格片的所述光电探测器矩阵上,使得所述光电探测器的光学中心正好定位于每个网格单元的“真实横截面”的中心。
12.如权利要求1所述的多元件X射线探测器,其中,X射线敏感层应用于由X射线可穿透材料制成且其上固定有金属网格片的分离板上;所述网格附着于所述光电探测器矩阵,且所述网格的单元边保持X射线发光,以使得光电探测器的光学中心正好定位于每个网格单元的“真实横截面”的中心。
13.如权利要求1所述的多元件X射线探测器,其中,其对比度大于50%且分辨率大于每1毫米4线对。
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