[发明专利]流体的去污染产品及获得方法

权利要求书

1.流体的去污染产品(10)，其包含一方面是具有内部和外部比表面(14)的多孔体(12)，并且另一方面是覆盖该多孔体(12)的内部和外部比表面(14)的至少一部分的至多纳米级厚度的金属化层(16)，该金属化层(16)包含至少一种通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)与多孔体(12)结合的金属(Ag)，其特征在于该金属化层(16)还包含通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)同样与多孔体(12)结合的硅(Si)。

2.权利要求1的流体的去污染产品，其中至少一部分的硅(Si)通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)还与金属化层(16)的至少一部分金属(Ag)结合。

3.权利要求1或2的流体的去污染产品，其中多孔体(12)包含含碳组分，金属化层(16)与该多孔体相互作用地包含金属硅化物的碳化物类型的组分，这尤其以大致等于283eV的能级揭示。

4.权利要求3的流体的去污染产品，其中金属化层(16)还包含下述这样的组分：所述组分包含碳、硅和金属的原子，它们之间通过共价键类型的化学键结合。

5.权利要求1-4任一项的流体的去污染产品，其中多孔体(12)包含由碳粉、石墨、活性炭、砂和沸石构成的组中的成员的至少之一。

6.权利要求1-5任一项的流体的去污染产品，其中该金属(Ag)包括至少一种原子质量大于或等于铜的原子质量的重金属。

7.权利要求1-6任一项的流体的去污染产品，其中金属化层(16)通过聚集体的形成而部分地覆盖该多孔体(12)的内部和外部比表面(14)。

8.流体的去污染产品(10)的获得方法，包括具有内部和外部比表面(14)的多孔体(12)的处理步骤(102)，该步骤在具有惰性气体等离子体和射频放电的沉积反应器(24)中通过将该多孔体(12)浸入等离子体中并且将金属(Ag)注入等离子体中来进行，其特征在于该多孔体的处理步骤(102)还包括在等离子体中注入硅(Si)。

9.权利要求8的流体的去污染产品的获得方法，其中沉积反应器(24)是电功率大致等于10kW的二极管类型的，与RLC类型的阻抗调谐箱耦合，并且在该处理步骤(102)的过程中使等离子体的激发温度达到5000-7000K。

10.权利要求8或9的流体的去污染产品的获得方法，还包括该多孔体(12)的预先的功能化步骤(100)，该步骤在具有在低压并且尤其是在5-500Pa下喷射的流化床、惰性气体的冷等离子体和感应放电的反应器(22)中进行。