[发明专利]荧光体有效
| 申请号: | 201080036249.8 | 申请日: | 2010-06-02 |
| 公开(公告)号: | CN102471684A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
| 发明(设计)人: | 篠仓明日香;伊东纯一;森中泰三 | 申请(专利权)人: | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号: | C09K11/62 | 分类号: | C09K11/62 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香兰;孟伟青 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 荧光 | ||
1.一种荧光体,其为含有含Ga和S的斜方晶结晶的荧光体,该荧光体的特征在于,在所述斜方晶结晶的使用了CuKα射线的XRD图谱中,在衍射角2θ=16.0°~18.0°出现的最大峰的衍射强度相对于在衍射角2θ=23.6°~24.8°出现的最大峰的衍射强度的比例为0.4以上。
2.如权利要求1所述的荧光体,其特征在于,在所述斜方晶结晶的使用了CuKα射线的XRD图谱中,在衍射角2θ=33.6°~36.0°出现的最大峰的衍射强度相对于在衍射角2θ=37.5°~39.5°出现的最大峰的衍射强度的比例为0.7以上。
3.一种荧光体,其为含有含Ga和S的斜方晶结晶的荧光体,该荧光体的特征在于,在所述斜方晶结晶的使用了CuKα射线的XRD图谱中,在衍射角2θ=33.6°~36.0°出现的最大峰的衍射强度相对于在衍射角2θ=37.5°~39.5°出现的最大峰的衍射强度的比例为0.7以上。
4.如权利要求1~3的任一项所述的荧光体,其特征在于,所述斜方晶结晶为含有Ga并含有选自Ba、Sr和Ca中的一种或它们中的两种以上的碱土金属M的硫化物,并且,Ba、Sr和Ca在碱土金属M中所占的含量比例满足下式(1),
(1):M=BaxSr1-x-yCay
在式(1)中,x为0以上且0.6以下,y为0以上且1以下。
5.如权利要求1~4的任一项所述的荧光体,其特征在于,所述荧光体含有Eu、Ce、Mn和Sm中的一种或它们中的两种以上作为活化剂。
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