[发明专利]新型结构的碳纳米复合体及其制造方法

权利要求书

1.一种碳纳米复合体，包括：

基板；

石墨烯片，沿着与基板平行的方向形成在所述基板的上部一面；

碳纳米物质，在所述石墨烯片的另一面形成为与石墨烯形成方向呈预定的角度，纵横比为2至75,000。

2.如权利要求1所述的碳纳米复合体，其特征在于所述石墨烯片的厚度为2至100nm。

3.如权利要求1所述的碳纳米复合体，其特征在于所述石墨烯片形成为1至100个层。

4.如权利要求1所述的碳纳米复合体，其特征在于所述预定的角度为5至90°。

5.如权利要求1所述的碳纳米复合体，其特征在于所述碳纳米物质是从碳纳米管、碳纳米丝以及碳纳米纤维中选择的一种以上物质。

6.如权利要求5所述的碳纳米复合体，其特征在于所述碳纳米管为单壁、双壁或多壁碳纳米管。

7.如权利要求5所述的碳纳米复合体，其特征在于所述碳纳米管的直径在2至100nm。

8.如权利要求1所述的碳纳米复合体，其特征在于所述碳纳米物质由选择于由镍、钴、铁、铂、金、铝、铬、铜、镁、锰、铑、硅、钛、钨、铀以及锆组成的组的一种以上催化剂金属形成。

9.如权利要求1所述的碳纳米复合体，其特征在于所述基板是玻璃、硅、不锈钢或塑料。

10.如权利要求1所述的碳纳米复合体，其特征在于所述基板中添加有碳。

11.如权利要求10所述的碳纳米复合体，其特征在于所述添加的碳在基板与石墨烯之间形成碳层，由此碳层与石墨烯形成共价键。

12.一种碳纳米复合体的制造方法，包括以下步骤：

形成基板；

在所述基板的上部一面，沿着与基板平行的方向，形成石墨烯片；

在所述石墨烯片的另一面的上部生长与石墨烯片呈预定的角度的、纵横比为2至75,000的碳纳米物质。

13.如权利要求12所述的碳纳米复合体的制造方法，其特征在于利用溅射沉积催化剂金属后，利用化学气相沉积法，直接生长所述石墨烯片。

14.如权利要求12所述的碳纳米复合体的制造方法，其特征在于所述石墨烯片包括获得石墨烯氧化物，通过热处理或化学处理工艺而去除氧的步骤。

15.如权利要求12所述的碳纳米复合体的制造方法，其特征在于所述基板进一步包括添加碳的步骤。

16.如权利要求12所述的碳纳米复合体的制造方法，其特征在于包括将所述石墨烯氧化物或者石墨烯片与铁/钼溶剂一起混合，涂覆于基板上的步骤。

17.如权利要求12所述的碳纳米复合体的制造方法，其特征在于所述碳纳米物质是从碳纳米管、碳纳米丝以及碳纳米纤维中选择的一种以上物质。

18.如权利要求12所述的碳纳米复合体的制造方法，其特征在于所述碳纳米物质通过在形成有石墨烯片的基板上沉积催化剂金属，或者将所述基板浸渍于催化剂金属水溶液中后由化学气相沉积法而形成。

19.利用如权利要求1至11中任意一项所述的碳纳米复合体而制造的电池的电极。

20.采用如权利要求19所述的电池的电极的太阳能电池。

21.利用如权利要求1至11中任意一项所述的碳纳米复合体而制造的场发射显示器件。