[发明专利]使用气态二氧化氯给被包围空间去污染

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2009年6月4日申请的第61/184,298号美国临时申请的优先权，所述申请的内容以引用的方式并入本文中。

于2010年4月28日同时申请的名为使用气态二氧化氯整治石膏板的申请之公开内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及在减轻或消除腐蚀的条件下使用气态二氧化氯整治被包围(enclosed)空间或给其去污染的方法。

背景技术

二氧化氯(ClO₂)用作杀菌剂是已知的。二氧化氯是一种强力的氧化剂和消毒剂，其已被用于各种不同的气相应用(gas phase applications)，包括食物的消毒、气味控制、排除炭疽菌和其它微生物的污染、霉菌整治、中国产墙板整治、医疗废弃物的消毒以及油气注井的增注。

例如，在2001年发现含有炭疽杆菌芽孢(炭疽菌)的信件之后，二氧化氯气体被用于给华盛顿哥伦比亚特区的哈特参议院办公大楼去污染。第11/270,973号美国专利申请(美国专利公开号2006/0228253)公开了大规模使用二氧化氯气体来熏蒸和消毒的方法。类似地，在哥伦比亚特区、新泽西州和佛罗里达州发现炭疽菌之后，二氧化氯气被用来给那里的邮件处理和其他商用建筑物去污染。

第11/576,498号美国申请(美国专利公开号2009/0081310)公开了有效和大规模地使用二氧化氯来进行霉菌整治的方法。

第61/173,844和61/252,422号美国临时申请公开了使用二氧化氯来原位整治现有建筑结构中的石膏板，以消除硫酸盐还原菌以及使与墙板接触的活性金属硫化物氧化的方法。

尽管二氧化氯作为可行的熏蒸剂多次取得成功并得到普遍接受，但将其广泛地用作气相灭菌剂具有严重的缺陷。因为ClO₂是有高度氧化性的，其易于在熏蒸处理结束后腐蚀位于被包围结构内的某些物品。虽然二氧化氯对金属的腐蚀比氯要小在本领域内是众所周知的，但已显示二氧化氯的气相应用可导致建筑物内的某些金属(无论是结构自身或是位于其内的所容物)的腐蚀。

本发明的一个方面是减轻建筑物内所容物，诸如电子设备(例如电话设备、计算机、复印机和其他电子办公设备)、家具等等的腐蚀，同时仍能使用气态二氧化氯实现成功的去污染。

发明内容

本发明涉及减轻在被包围容积内二氧化氯气相应用时的腐蚀的方法，包含以下步骤：调节(climatizing)被包围容积至相对湿度不超过约56％；生成二氧化氯气体；以及将二氧化氯气体以某有效的浓度时间(CT)值导入被包围容积，以达致目标生物杀灭或污染物的氧化的所期望的水平。

本发明还涉及在被包围容积内二氧化氯气相应用的方法，包含以下步骤：调节被包围容积至相对湿度等于x(％)；生成二氧化氯气体；以及将二氧化氯气体以等于y(ppm_v-hrs)的二氧化氯CT值导入被包围容积，其中y等于6x²-870x+32100±1000，x为等于该％RH的5和56之间的数字。

本发明进一步涉及在被包围容积内二氧化氯气相应用的方法，包含以下步骤：调节被包围容积，以达致约5％至约56％范围内的相对湿度(RH)；生成二氧化氯气体；以及将浓度在25ppm_v至10,000ppm_v范围内的二氧化氯气体导入被包围容积适当的时间，以达致等于y(ppm_v-hrs)的二氧化氯CT值；其中y＝6x²-870x+32100±1000，x为等于该％RH的5和56之间的数字。

本发明还涉及在被包围容积内二氧化氯气相应用的方法，包含以下步骤：调节被包围容积，以达致在约5％至约56％范围内的相对湿度(RH)；生成二氧化氯气体；以及在二氧化氯气体浓度和接触时间的特定条件下导入二氧化氯气体，该些特定条件对于在气相应用过程中消除被包围容积内的污染物以及进一步减轻被包围容积内的腐蚀是有效的。

附图说明

图1是总结在48％RH和54％RH时的腐蚀研究处理数据的图表。

图2A-2D是钢制物体经受48％RH和54％RH的二氧化氯的照片。

图3是总结金属物体在各种不同RH值时的腐蚀数据的表。

图4是低碳钢随RH的失重变化的图。

图5是芽孢滤纸条随CT和RH的杀灭率变化的图。

图6是适合用于本发明的方法中的装置的示意图。