[发明专利]发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置有效
| 申请号： | 201080024698.0 | 申请日： | 2010-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN102450101A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 能渡广美;濑尾哲史;大泽信晴;牛洼孝洋;筒井哲夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H05B33/12 | 分类号： | H05B33/12;H01L51/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱孟清 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 元件 装置 电子设备 以及 照明 | ||
1.一种发光元件，包括：
阳极；
所述阳极上的第一EL层；
所述第一EL层上的第一层；
在所述第一层上且与所述第一层接触的第二层；
在所述第二层上且与所述第二层接触的第三层；
所述第三层上的第二EL层；以及
所述第二EL层上的阴极，
其中，所述第一层包含第一施主物质，
所述第二层包含电子传输物质及第二施主物质，
并且，所述第三层包含空穴传输物质及受主物质。
2.一种发光元件，包括：
阳极；
所述阳极上的第一EL层；
所述第一EL层上的第一层；
在所述第一层上且与所述第一层接触的第二层；
在所述第二层上且与所述第二层接触的第三层；
所述第三层上的第二EL层；以及
所述第二EL层上的阴极，
其中，所述第一层包含第一施主物质及第一电子传输物质，
所述第二层包含第二施主物质及第二电子传输物质，所述第二电子传输物质的LUMO能级低于所述第一电子传输物质的LUMO能级，
并且，所述第三层包含空穴传输物质及受主物质。
3.根据权利要求2所述的发光元件，其中所述第二电子传输物质的LUMO能级是大于或等于-5.0eV。
4.根据权利要求2所述的发光元件，其中添加所述第一施主物质，使得所述第一施主物质与所述第一电子传输物质的质量比是大于或等于0.001∶1且小于或等于0.1∶1。
5.根据权利要求2或权利要求4所述的发光元件，其中所述第一施主物质及所述第二施主物质是选自碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物以及稀土金属化合物。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的发光元件，其中所述第三层是这样一个层，在所述第三层中，添加所述受主物质，使得所述受主物质与所述空穴传输物质的质量比是大于或等于0.1∶1且小于或等于4.0∶1。
7.根据权利要求1或权利要求2所述的发光元件，其中所述第三层是下列两个层的层叠体：包含空穴传输物质且接触于所述第二EL层的层；以及包含受主物质且接触于所述第二层的层。
8.根据权利要求1或权利要求2所述的发光元件，其中所述第二电子传输物质是二萘嵌苯衍生物或含氮稠环芳香化合物。
9.根据权利要求1或权利要求2所述的发光元件，其中所述受主物质是属于元素周期表中的第四族至第八族的金属的氧化物。
10.根据权利要求1或权利要求2所述的发光元件，其中所述受主物质是氧化钼。
11.一种使用根据权利要求1或权利要求2所述的发光元件而制造的发光装置。
12.一种包括根据权利要求11所述的发光装置的电子设备。
13.一种包括根据权利要求11所述的发光装置的照明装置。
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