[发明专利]用于图案化介质中的岛与沟槽的比值优化的工艺

权利要求书

1.一种用于在具有位于真空环境中的相继处理室的系统中对硬盘进行构图的方法，其中每个处理室由隔离阀进行隔离，所述硬盘具有形成在衬底上方的磁性堆栈、形成在所述磁性堆栈上方的硬掩模层、以及形成在所述硬掩模层上方的图案化光致抗蚀剂层，所述方法包括：

将所述磁盘加载到磁盘载体上，在真空环境中传送所述磁盘载体并且将所述磁盘载体传送到反应蚀刻室中；

通过轰击反应气体的等离子体，在所述反应蚀刻室中处理所述磁盘，以便将图案从所述图案化光致抗蚀剂转移到所述硬掩模层上；

打开所述反应蚀刻室的隔离阀并从所述反应蚀刻室去除所述载体，并将所述磁盘载体传送到溅射蚀刻室中；

通过轰击惰性气体的等离子体，在所述溅射蚀刻室中处理所述磁盘，以便将所述图案从图案化的所述硬掩模层转移到磁性堆栈层上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中轰击反应气体的等离子体包括：利用含氟气体轰击等离子体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中轰击惰性气体的等离子体包括：利用氩气轰击等离子体。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在将所述图案从所述图案化光致抗蚀剂转移到所述硬掩模层上之前，在等离子体室中对所述光致抗蚀剂清除浮渣。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在将所述图案从图案化的所述硬掩模层转移到所述磁性堆栈层上之后，去除任何残余的硬掩模。

6.根据权利要求5所述的方法，其中去除任何残余的硬掩模包括：利用活性气体轰击等离子体。

7.根据权利要求6所述的方法，其中使用活性气体轰击等离子体包括：利用含氟气体轰击等离子体。

8.根据权利要求6所述的方法，还包括：在去除任何残余的硬掩模之后，沉积再填充层。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：在沉积再填充层之后执行回蚀，其中所述再填充和回蚀工艺是利用平衡的工艺时间在分开的室中执行的。

10.一种用于对硬盘进行构图的方法，所述硬盘具有形成在衬底上方的磁性堆栈、形成在所述磁性堆栈上方的硬掩模层、以及形成在所述硬掩模层上方的图案化光致抗蚀剂层，所述方法包括：

将所述磁盘传送到制造系统内部的真空环境中，不从所述真空环境中去除所述磁盘，执行如下步骤：

通过轰击活性气体的等离子体，在第一反应蚀刻室中处理所述磁盘，以便将所述图案从所述图案化光致抗蚀剂转移到所述硬掩模层上；

将所述磁盘传送到第一溅射蚀刻室中；以及

通过轰击惰性气体的等离子体，在所述第一溅射蚀刻室中处理所述磁盘，以便将所述图案从图案化的所述硬掩模层转移到磁性堆栈层上。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：在所述第一蚀刻室中处理所述磁盘之前，将所述磁盘传送到清除浮渣室中，并对所述磁盘执行清除浮渣处理，然后将所述磁盘传送到所述第一蚀刻室中。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括：将所述磁盘传送到第二反应蚀刻室中，用于执行将所述图案从所述图案化光致抗蚀剂转移到位于所述磁盘的第二侧上的所述硬掩模层上；以及将所述磁盘传送到第二溅射蚀刻室中，用于执行将所述图案从图案化的所述硬掩模层转移到位于所述磁盘的所述第二侧上的所述磁性堆栈层上。

13.根据权利要求10所述的方法，其中一次在所述磁盘的一侧上执行蚀刻室中的磁盘处理，并且其中所述真空环境中的步骤还包括冷却所述磁盘的步骤。

14.根据权利要求10所述的方法，其中轰击反应气体的等离子体包括：利用含氟气体轰击等离子体。

15.根据权利要求14所述的方法，其中轰击惰性气体的等离子体包括：利用氩气轰击等离子体。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括：在将所述图案从所述图案化光致抗蚀剂转移到所述硬掩模层上之前，在等离子体室中对光致抗蚀剂清除浮渣。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括：在将所述图案从图案化的所述硬掩模层转移到所述磁性堆栈层上之后，去除任何残余的硬掩模。