[发明专利]有机电致发光元件有效
| 申请号: | 201080012586.3 | 申请日: | 2010-03-25 |
| 公开(公告)号: | CN102362551A | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
| 发明(设计)人: | 甲斐孝弘;山本敏浩;古森正树;吉村和明;辻大志;高桥泰裕 | 申请(专利权)人: | 新日铁化学株式会社;日本先锋公司 |
| 主分类号: | H05B33/10 | 分类号: | H05B33/10;H01L51/50 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 贾成功 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 电致发光 元件 | ||
1.一种有机电致发光元件,其为在阳极与阴极之间夹持至少含空 穴传输层和发光层的有机层而成的有机电致发光元件,其特征在于,在 发光层中含有磷光发光材料,在空穴传输层与发光层之间具有与发光层 邻接而含有通式(1)表示的吲哚并咔唑化合物的电子及/或激子阻挡层,
通式(1)中,Z表示n价的碳数6~50的芳香族烃基或碳数3~50 的芳香族杂环基,Y表示式(1a)表示的基团,n表示1~6的整数;在n 为2以上的情况下,Y可以相同也可以不同;
式(1a)中,环A表示与邻接环缩合的式(1b)表示的芳香族环,环B 表示与邻接环缩合的式(1c)表示的杂环;R1、R2分别独立地表示氢、碳 数1~10的脂肪族烃基、碳数6~12的芳香族烃基或碳数3~11的芳香 族杂环基;
式(1b)中,X表示次甲基或氮,R3表示氢、碳数1~10的脂肪族烃 基、碳数6~12的芳香族烃基或碳数3~11的芳香族杂环基,但也可以 与含X的环缩合而形成稠环;
式(1c)中,Ar表示碳数6~50的芳香族烃基或碳数3~50的芳香族 杂环基。
2.如权利要求1所述的有机电致发光元件,其特征在于,发光层 中含有磷光发光材料和电子传输性主体材料。
3.如权利要求1所述的有机电致发光元件,其特征在于,有机层 进而具有电子传输层,该电子传输层中使用的材料的至少一种的材料的 电子移动速度为1×10-7cm2/V·s以上。
4.如权利要求1所述的有机电致发光元件,其中,通式(1)表示的 吲哚并咔唑化合物为下述通式(2)表示的吲哚并咔唑化合物,
通式(2)中,环B表示与邻接环缩合的式(1c)表示的杂环;Z、Ar、 R1及R2与通式(1)中的含义相同;R3表示氢、碳数1~10的脂肪族烃基、 碳数6~12的芳香族烃基或碳数3~11的芳香族杂环基;n表示1或2 的整数。
5.如权利要求4表示的有机电致发光元件,其特征在于,通式(2) 表示的吲哚并咔唑化合物选自通式(3)~(6)表示的吲哚并咔唑化合物,
通式(3)~(6)中,Z、Ar、R1、R2、R3及n与通式(2)中的含义相同。
6.如权利要求1所述的有机电致发光元件,其特征在于,电子及/ 或激子阻挡层中含有的吲哚并咔唑化合物的LUMO能量比发光层中含有 的主体材料的LUMO能量大。
7.如权利要求1所述的有机电致发光元件,其特征在于,吲哚并 咔唑化合物的LUMO能量为-1.2eV以上。
8.如权利要求1所述的有机电致发光元件,其特征在于,空穴传 输层中含有的空穴传输性材料的HOMO能量比电子及/或激子阻挡层中含 有的吲哚并咔唑化合物的HOMO能量大。
9.如权利要求1所述的有机电致发光元件,其特征在于,与阳极或 空穴注入层邻接而具有空穴传输层,该空穴传输层中含有的空穴传输材 料的HOMO能量为-4.8eV以上。
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