[发明专利]电弧焊接控制方法和电弧焊接控制装置有效
申请号: | 201080004021.0 | 申请日: | 2010-04-02 |
公开(公告)号: | CN102271854A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 佐藤公哉;川本笃宽;中川晶;藤原润司 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | B23K9/073 | 分类号: | B23K9/073;B23K9/09;B23K9/095 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电弧焊接 控制 方法 装置 | ||
1.一种电弧焊接控制方法,交替反复焊丝与被焊接物短路的短路期间、和发生电弧进行电弧放电的电弧期间,由此进行所述被焊接物的焊接,其中,
对作为焊接中计算出的焊接电压的平均值的平均输出电压与预先设定的设定电压进行比较,根据所述平均输出电压与所述预先设定的设定电压的比较结果,控制所述电弧发生时的焊接输出电流。
2.根据权利要求1所述的电弧焊接控制方法,其中,
在所述平均输出电压与所述预先设定的设定电压之间的比较结果是所述平均输出电压大于所述设定电压的情况下,按照所述电弧发生时的焊接输出电流成为基于所述平均输出电压与所述设定电压之间的差值的、小于预先设定的规定电流值的所述焊接输出电流的方式进行控制;在所述平均输出电压小于所述设定电压的情况下,按照所述电弧发生时的所述焊接输出电流成为基于所述平均输出电压与所述设定电压之间的所述差值的、大于所述规定电流值的所述焊接输出电流的方式进行控制。
3.根据权利要求2所述的电弧焊接控制方法,其中,
在所述平均输出电压大于所述设定电压的情况下,在所述规定电流值上乘以基于所述平均输出电压与所述设定电压之间的所述差值的小于1的倍率,从而计算出所述电弧发生时的所述焊接输出电流;在所述平均输出电压小于所述设定电压的情况下,在所述规定电流值上乘以基于所述平均输出电压与所述设定电压之间的所述差值的大于1的倍率,从而计算出所述电弧发生时的所述焊接输出电流。
4.根据权利要求1所述的电弧焊接控制方法,其中,
在所述电弧发生之前降低所述焊接输出电流从而使所述短路断开。
5.一种电弧焊接控制装置,交替反复焊丝与被焊接物短路的短路期间、和发生电弧进行电弧放电的电弧期间,由此对所述被焊接物进行焊接,其中,所述电弧焊接控制装置具备:
焊接电流检测部,检测焊接输出电流;
焊接电压检测部,检测焊接输出电压;
开关元件,控制焊接输出;
短路电弧判定部,判定焊接状态是所述短路期间还是所述电弧期间;
设定部,用于设定所述短路期间的电流或电压之中的至少一个、所述电弧期间的电流或电压之中的至少一个、设定电压、以及规定电流值;
电弧初期控制部,控制所述电弧发生初期时的所述焊接输出电流;
驱动部,根据所述短路电弧判定部的输出,控制所述开关元件;
计时部,将所述短路电弧判定部的输出作为输入,对从所述电弧发生时起的规定时间进行计时,并输出至所述驱动部;
平均电压计算部,根据所述焊接电压检测部的检测结果,计算所述焊接电压的平均值即平均输出电压;和
电压比较部,对由所述设定部所设定的设定电压与由所述平均电压计算部计算出的平均输出电压进行比较,
所述电弧初期控制部,根据所述电压比较部的比较结果,控制所述电弧发生时的焊接输出电流。
6.根据权利要求5所述的电弧焊接控制装置,其中,
所述电弧初期控制部,在所述电压比较部的比较结果是所述平均输出电压大于所述设定电压的情况下,按照所述电弧发生时的焊接输出电流成为基于所述平均输出电压与所述设定电压之间的差值的、小于预先设定的规定电流值的所述焊接输出电流的方式进行控制;在所述平均输出电压小于所述设定电压的情况下,按照所述电弧发生时的所述焊接输出电流成为基于所述平均输出电压与所述设定电压之间的所述差值的、大于所述规定电流值的所述焊接输出电流的方式进行控制。
7.根据权利要求6所述的电弧焊接控制装置,其中,
还具备焊接输出电流运算部,该焊接输出电流运算部计算所述电弧发生时的所述焊接输出电流,
在所述平均输出电压大于所述设定电压的情况下,在所述规定电流值上乘以基于所述平均输出电压与所述设定电压之间的所述差值的小于1的倍率,从而计算出所述电弧发生时的所述焊接输出电流;在所述平均输出电压小于所述设定电压的情况下,在所述规定电流值上乘以基于所述平均输出电压与所述设定电压之间的所述差值的大于1的倍率,从而计算出所述电弧发生时的所述焊接输出电流。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080004021.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:绝缘体上硅MOS晶体管结构
- 下一篇:半导体器件制备过程中的加载互锁装置