[实用新型]一种红外发射电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种发射电路，尤其涉及一种红外发射电路。

背景技术

红外遥控器是通过发射红外线来传输数据的，红外遥控器通过内部电路产生编码脉冲，再把编码脉冲调制到38KHZ的高频波上，利用红外发射二极管(IRLED)发射红外线发射到空间中，从而达到传输数据的目的。

基于单片机的红外遥控器发射红外码载波的方式目前主要有三种：

一是利用MCU的定时器中断来发送，26us左右取反一次，获得38K的载波信号，如图1所示，MCU内部本身集成有载波发射功能。这种发射方式，虽然电路简单，但是要求MCU的运行时钟频率比较高，否则26us对于MCU来说运行不了几条指令就会中断溢出，影响定时的准确性，且高时钟频率运行势必会导致遥控器工作时功耗增大，不省电。

二是通过软件设置MCU的寄存器实现载波发射，这种方式发射红外信号是可行的，在高档遥控器中经常可以看到这样的MCU，但是在低档的遥控器中，选择这种MCU成本偏高。

三是利用可以自动调制的红外发射头来发射红外信号，该发射头能自动调制载波，无需人为干预，但该方案应用较为局限。

实用新型内容

本实用新型针对现有红外发射定时不准，功耗大的缺陷，提供一种定时准，功耗小的红外发射电路。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

提供一种红外发射电路，包括发射单元、与所述发射单元连接并为其提供载波和待发送数据信号的单片机、以及与所述单片机连接并为其提供频率为32.768KHz时钟源的晶振电路。

本实用新型所述的红外发射电路中，所述发射单元包括NPN型三极管，其基极与单片机的载波信号输出端口连接，发射极与单片机的输出待发送数据信号端口连接；所述发射单元还包括PNP型三极管、与其发射极连接的电源、以及正极与其集电极连接的红外发射二极管，所述PNP型三极管的基极与所述NPN型三极管的集电极连接，所述红外二极管的负极接地。

本实用新型所述的红外发射电路中，所述电源与所述PNP型三极管的基极之间设有上拉电阻。

本实用新型所述的红外发射电路中，所述单片机的载波信号输出端口与所述NPN型三极管的基极之间设有限流电阻。

本实用新型所述的红外发射电路中，所述PNP型三极管的集电极与所述红外二极管之间设有限流电阻。

本实用新型所述的红外发射电路中，所述晶振电路包括振荡频率为32.768KHz的晶振、以及与所述晶振的两个引脚分别连接的负载电容。

实施本实用新型产生的有益效果是：采用32.768Khz的晶振为单片机提供时钟源，其振荡周期为0.00006103515625S，1S刚好是16384个振荡周期，可以实现精确定时；32.768Khz属于低频，在这种频率下运行的单片机，可实现低功耗。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1是现有技术中利用MCU的定时器中断来获取38K载波信号的红外发射电路图；

图2是本实用新型实施例红外发射电路的结构框图；

图3是本实用新型较佳实施例红外发射电路的电路图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

在本实用新型实施例红外发射电路中，如图2所示，参照图3，包括晶振电路100，单片机200和发射单元300，晶振电路100采用振荡频率为32.768KHz的晶振Y1为单片机200提供频率为32.768KHz的时钟源，晶振的两个引脚分别与单片机的晶振输入端口OSCI和单片机晶振输出端口OSCI连接，发射单元300与单片机200连接，由单片机200为其提供载波和待发送数据信号，本实施例中单片机200采用BJ9P153单片机，整个电路的睡眠电流可以控制在在0.5uA以下，从而实现低功耗。

进一步地，在本实用新型实施例红外发射电路中，如图3所示，发射单元300包括NPN型三极管2，其基极与单片机200的单片机晶振输出口OSCO即载波信号输出端口连接，发射极与单片机200的待发送数据信号输出端口MCU_PIN连接；发射单元300还包括电源VCC、PNP型三极管1和红外发射二极管D1，其中，电源与PNP型三极管1的发射极连接，红外发射二极管D1即IR_LED的正极与PNP型三极管1的集电极连接，PNP型三极管1的基极与NPN型三极管2的集电极连接，红外二极管D1的负极接地。