[实用新型]一种滤波电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及滤波电路。

背景技术

具有数据销毁功能的电子盘是一种被广泛使用的数据存储设备，应用于高度安全的环境。现阶段，这种电子盘数据销毁一般采用擦除的方法，但是此方法执行时间长，不能快速对数据进行销毁。为了达到快速销毁的目的，目前使用擦除和烧毁两种方式执行数据销毁，擦除方式使盘具有可重用性，而烧毁方式可以达到快速数据销毁的目的。为了执行擦除和烧毁的可靠性，需要一种滤波电路，保证对毁钥信号的有效性判断的可靠性。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种滤波电路，其保证了对毁钥信号的有效性判断的可靠性。

本实用新型的技术解决方案是：

一种滤波电路，其特殊之处在于：包括输入保护接口电路、锁存保护电路以及延迟滤波电路；所述输入保护接口电路与延迟滤波电路之间串接电阻R114，所述锁存保护电路与延迟滤波电路之间串接电阻R118。

上述输入保护接口电路包括与输入毁钥信号KEY_IN连接的电阻R110，与该电阻R110串联的相互反接的两个二极管D3、D5，其中一个二极管D3的输出端与另一电阻R111以及三极管Q31的基极串联，三极管Q31的发射极接地；另一个与输入保护接口电路正极、电阻R112、R113以及另一个三极管Q32的基极串联；二极管D5的输入端、三极管Q32的发射极分别接输入保护接口电路正负极。

上述锁存保护电路包括相互串联的与所述二极管D3的输入端、二极管D6的输入端以及MOS管Q34的集电极；所述二极管D6的输出端串联一电阻R109；所述二极管D3的输入端、二极管D6的输入端以及MOS管Q34的发射极之间还串接有电阻R119，所述MOS管Q34的发射极与电阻R119的另一端分别接锁存保护电路的正负极。

上述延迟滤波电路包括与三极管Q31的集电极串联的电容C67、C68，电阻R115，反向器U28，电阻R116，MOS管Q33的基极，以及电阻R117；所述电容C67、C68，电阻R115，反向器U28以及电阻R117具有一端接地；反向器U28与MOS管Q33的基电极分别接延迟滤波电路的正负极。

本实用新型的优点是：

1)根据使用时输入毁钥信号KEY_IN的有效性来选择具体的接口电路，并使KEY_IN与后级电路隔离；

2)通过调整阻容R114、R115、C67、C68的大小来确定延时时间和滤波量值，并通过反向器U28和MOS管Q33整形后输出控制信号；

3)MOS管Q34在前级控制信号的作用下导通后将信号锁存，并通过D6隔离后将可靠有效的毁钥触发信号KEY输出。

附图说明

图1为本实用新型的电路图。

具体实施方式

参见图1，本实用新型的滤波电路由图中所示三部分组成。

一种滤波电路，包括输入保护接口电路、锁存保护电路以及延迟滤波电路；所述输入保护接口电路与延迟滤波电路之间串接电阻R114，所述锁存保护电路与延迟滤波电路之间串接电阻R118。

输入保护接口电路包括与输入毁钥信号KEY_IN连接的电阻R110，与该电阻R110串联的相互反接的两个二极管D3、D5，其中一个二极管D3的输出端与另一电阻R111以及三极管Q31的基极串联，三极管Q31的发射极接地；另一个与输入保护接口电路正极、电阻R112、R113以及另一个三极管Q32的基极串联；二极管D5的输入端、三极管Q32的发射极分别接输入保护接口电路正负极。

锁存保护电路包括相互串联的与所述二极管D3的输入端、二极管D6的输入端以及MOS管Q34的集电极；所述二极管D6的输出端串联一电阻R109；所述二极管D3的输入端、二极管D6的输入端以及MOS管Q34的发射极之间还串接有电阻R119，所述MOS管Q34的发射极与电阻R119的另一端分别接锁存保护电路的正负极。

延迟滤波电路包括与三极管Q31的集电极串联的电容C67、C68，电阻R115，反向器U28，电阻R116，MOS管Q33的基极，以及电阻R117；所述电容C67、C68，电阻R115，反向器U28以及电阻R117具有一端接地；反向器U28与MOS管Q33的基电极分别接延迟滤波电路的正负极。

其中，

1)根据使用时输入毁钥信号KEY_IN的有效性来选择具体的接口电路，并使KEY_IN与后级电路隔离；

2)通过调整阻容R114、R115、C67、C68的大小来确定延时时间和滤波量值，并通过反向器U28和MOS管Q33整形后输出控制信号；

3)MOS管Q34在前级控制信号的作用下导通后将信号锁存，并通过D6隔离后将可靠有效的毁钥触发信号KEY输出。