[实用新型]一种单晶炉副炉

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种单晶炉副炉，属于单晶硅的生产制造设备领域。

背景技术

单晶硅作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件，单晶硅的生长技术有两种：区熔法和直拉法，其中直拉法是目前普遍采用的方法。现有普遍采用的直拉单晶炉，其主要包括炉底、下炉体、上炉体、炉盖、隔离阀和副炉六大部分组成。在本实用新型做出之前，直拉单晶炉的副炉只有单层炉壁，由于单晶炉工作过程中炉体部分长时间处于高温状态，所以炉壁很容易损坏，单晶炉副炉的使用寿命较短。

发明内容

本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种使用寿命长的单晶炉副炉。

本实用新型的目的是这样实现的：一种单晶炉副炉，它包括上法兰和下法兰，其特点是：上法兰和下法兰之间设置有内壁和外壁，内壁和外壁之间设置有水夹层，外壁上设置有出水口和注水管，所述出水口与水夹层相连通，所述注水管上设置有与进水管内部相连通的进水口，外壁底部开设有进水孔，注水管与水夹层通过进水孔相连通。

所述出水口位于外壁紧邻上法兰的位置，所述注水管竖直设置于出水口下方，所述进水口位于注水管的上部。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型一种单晶炉副炉，其炉体包括内外两层炉壁，内壁与外壁之间设置有水夹层，单晶炉工作时炉体温度较高，通过进水口对水夹层注水可以对副炉进行冷却，降低炉壁的温度，提高副炉的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型单晶炉副炉的结构示意图。

图2为图1的左视图。

其中：

出水口1、进水口2、注水管3、进水孔4、内壁5、水夹层6、外壁7、上法兰8、下法兰9。

具体实施方式

参见图1，本实用新型涉及的一种单晶炉副炉，它包括上法兰8和下法兰9，上法兰8和下法兰9之间设置有内壁5和外壁7，内壁5和外壁7之间设置有水夹层6，外壁7上设置有出水口1和注水管3，出水口1位于外壁7紧邻上法兰8的位置并与水夹层6相连通，注水管3竖直设置于出水口1下方。所述注水管3上设置有进水口2，进水口2位于注水管3的上部并与注水管3内部相连通。外壁7底部开设有进水孔4，注水管3与水夹层6通过进水孔4相连通。

在单晶炉工作过程中，水通过进水口2进入注水管3，然后通过外壁7上的进水孔4进入水夹层6，对单晶炉副炉进行冷却，从而降低炉壁的温度。