[实用新型]电光开关驱动电源有效
| 申请号： | 201020635789.5 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN201893724U | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李亚维;赵娟;任青毅;曹科峰;李玺钦;邓明海;叶超;代刚;黄斌;马成刚;龙燕;曹宁翔;冯宗明;于治国;梁川;马勋;马军;邓维军;黄雷;丁明军;吴红光;冯莉;李巨;李晏敏;王浩;王卫;张振涛;贾兴;谢敏 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院流体物理研究所 |
| 主分类号： | H02M9/02 | 分类号： | H02M9/02 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 詹永斌;吴彦峰 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电光 开关 驱动 电源 | ||
【权利要求书】：
1.一种电光开关驱动电源，包括触发信号，对触发信号脉冲宽度调节的脉宽调节电路，脉冲驱动电路，经驱动后对脉冲信号增压的高压脉冲成形电路及高压脉冲成形电路的稳压电路，其特征在于高压脉冲成形电路是由至少两个半导体场效应管(M)串并联构成开关组，脉冲驱动电路向每个半导体场效应管(M)输出脉冲信号(P)，半导体场效应管(M)串并联构成开关组控制高压脉冲信号(P)输出到负载(KDP)。
2.根据权利要求1所述的电光开关驱动电源，其特征在于半导体场效应管(M)采用串联。
3.根据权利要求1所述的电光开关驱动电源，其特征在于半导体场效应管(M)采用并联。
4.根据权利要求1所述的电光开关驱动电源，其特征在于半导体场效应管(M)采用MOSFET。
5.根据权利要求1所述的电光开关驱动电源，其特征在于每路脉冲驱动信号(P)中串联一个电位器(R)，各电位器(R)与半导体场效应(M)连接，通过调节各电位器(R)控制延时时间，从而控制半导体场效应管(M)最终同步导通。
6.根据权利要求1所述的电光开关驱动电源，其特征在于在脉宽调节电路上连接现场可编程门阵列(FPGA)。
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