[实用新型]一种石墨卡瓣

说明书

技术领域

本实用新型属于连接器件制造领域，更具体的说，涉及一种石墨卡瓣。

背景技术

作为半导体材料的高纯度多晶硅的制造方法，公知有西门子法。该西门子法是这样的制造方法：由氯硅烷和氢气的混合气体构成的原料气体接触加热了的硅芯棒，在其表面上进行热分解和氢还原反应，由此析出多晶硅。作为实施制造方法的装置，使用在反应炉中设立有多个硅芯棒的多晶硅反应炉。在西门子法中，反应析出多晶硅要求硅芯表面温度必须达到反应温度，硅芯的热能是由电能转化而来，每生产一炉多晶硅必须先将硅芯与反应炉内的电极连接，形成电气回路。

目前，普遍选用石墨体组件作为硅芯与电极的连接载体。常用的石墨体组件包括石墨卡瓣、石墨短环，现有的石墨卡瓣主要为圆柱形结构，这种圆柱形结构在启炉时使硅芯容易发生倒棒。反应炉运行时硅芯发生倒棒，轻则损失一炉硅芯，重则砸伤反应炉炉壁、底盘、周围管道及仪表，对电器设备也有很大影响，给取出析出的多晶硅的操作人员带来很大的难度，也容易沾污多晶硅硅芯。石墨卡瓣这种圆柱形结构在多晶硅反应进行时，由于圆柱形结构不容易使热量聚集，则会达不到多晶硅反应的反应温度，使硅芯通电后产生局部拉弧时，通料后不易长硅，受氯化氢腐蚀严重而倒炉的现象。而且，结构较复杂的石墨体给装硅芯的操作人员带来麻烦、使操作时间加长，且影响反应气体的流场。

发明内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种石墨卡瓣，实现在进行多晶硅反应时，使硅芯不会产生到棒，硅芯通电后产生局部拉弧时，通料后容易长硅，且本实用新型石墨卡瓣结构简单，不影响反应气体的流场。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案：

一种石墨卡瓣，包括圆柱体，圆柱体一端内设有电极插槽，还包括与圆柱体一体化设置的圆台，所述圆台位于与圆柱体内设有电极插槽端相背的端，所述圆台的大径端与圆柱体连接，所述圆台设有从小径端向大径端延伸的十字形开口，所述圆台还设有空腔，所述空腔的轴线与圆柱体轴线重合，所述空腔的锥度与圆台的锥度相反，所述电极插槽与所述空腔之间设有通孔。

优选地，所述电极插槽的截面形状为圆形、梯形或三角形。

优选地，所述圆台轴向与所述圆柱体轴向相同。

优选地，所述圆柱体上靠近圆台端设有沿圆柱体圆周方向的凹槽。

优选地，所述凹槽的截面形状为方形。

由以上方案可以看出，本实用新型石墨卡瓣，其顶部为圆台，且均分为四等部分，硅芯从锥形孔插入，硅芯不会倒棒；这种设置易于达到多晶硅反应温度，有效地防止了石墨体与硅芯接触的磨锥部分在硅芯通电后产生局部拉弧时，通料后不易长硅，受氯化氢腐蚀严重而倒炉的现象；石墨卡瓣与电极连接通过石墨短环紧固，有效地保证了石墨体与电极连接的可靠性；整个石墨体体积小、结构简单，有效地降低了使用成本，且不影响反应气体的流场。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1是本实用新型石墨卡瓣结构示意图；

图2是本实用新型石墨卡瓣俯视结构示意图；

图3是与本实用新型石墨卡瓣结合使用的石墨短环结构示意图；

图4是与本实用新型石墨卡瓣结合使用的石墨短环俯视结构示意图；

图5是本实用新型石墨卡瓣与石墨短环配合使用时的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1、图2所示，为本实用新型石墨卡瓣及其俯视结构示意图；包括卡瓣体1、圆台2、电极插槽3、通孔4、凹槽5，卡瓣体1为圆柱形，电极插槽3设于卡瓣体1内底部，卡瓣体1顶部设有圆台2，圆台2由4个楔形块组合而成，每个楔形块斜面端为圆弧形，每个楔形块以圆弧形斜面端为外围，以等间隔间距沿圆周方向设置于卡瓣体上，其形成十字形开口6，所述每个楔形块内设置一个连接楔形块顶面和底面的空腔7，所述4个空腔7在圆台内围成一个与圆台锥度相反的空腔。电极插槽3与空腔之间设有通孔4，卡瓣体1上端部侧面端设有沿卡瓣体1圆周方向的凹槽5。所述电极插槽3的形状为与电极形状相适配的各种形状，这里不再穷举，凹槽5的截面形状为方形。