[实用新型]用于评估LDMOS功放管性能指标的通用控制装置无效

专利信息
申请号: 201020301230.9 申请日: 2010-01-22
公开(公告)号: CN201637813U 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 黄文建 申请(专利权)人: 芯通科技(成都)有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 成都虹桥专利事务所 51124 代理人: 邹裕蓉
地址: 610041 四川省成都市高新区天府大*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 评估 ldmos 功放 性能指标 通用 控制 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及功放管性能评估电路技术。

背景技术

横向扩散金属氧化物半导体LDMOS(lateral double-diffused metal-oxidesemiconductor)功放管是为900MHz蜂窝电话技术开发的,是3G(第三代移动通信系统)功放模块上的核心器件,主要面向移动电话基站的RF(射频)功率放大器。目前对LDMOS功放管的评估主要有两种方式,一是直接使用供应商提供的LDMOS功放评估板,二是射频研发人员自己设计一张只包含功放电路的LDMOS功放评估板来测试。两种方式的共同点是:LDMOS功放评估板只包含设计需要的最小功放电路,LDMOS功放管所需要的电源和栅极电压都是外接的,有的LDMOS功放评估板只有功放电路,有的LDMOS功放评估板除功放电路外还有MOSFET(金属氧化物半导体场效应管,MOS场效应管)。调试时,研发人员一般都通过外接可调电源来调节LDMOS功放管的栅压,通过温度测试仪来读取功放管的温度,无法设置LDMOS功放管的工作模式,仅能评估LDMOS功放管在发射状态时的性能,且这种方式调试LDMOS功放管速度慢、数据只能手动记录而且无法测试LDMOS功放管在TDD(Test Driven Development测试驱动开发)状态下的性能。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种将LDMOS功放评估板的控制部分独立出来的通用控制装置。

本实用新型为解决上述技术问题所采用的技术方案是,用于评估LDMOS功放管性能指标的通用控制装置,包括接口转换电路、微处理器、数模转换电路、复杂可编程逻辑器件、MOS场效应管、栅极补偿电压输出脚、受控栅极电压输出脚、逻辑控制输出脚、温度检测脚;接口转换电路与微处理器的控制信号输入接口相连;微处理器与数模转换电路的输入端相连,数模转换电路的输出端与栅极补偿电压输出脚相连;数模转换电路的输出端与MOS场效应管的输入端相连,MOS场效应管的输出端与受控栅极电压输出脚相连,MOS场效应管的控制端与复杂可编程逻辑器件的输出端相连;微处理器与复杂可编程逻辑器件的输入端相连,复杂可编程逻辑器件的输出端与逻辑控制输出脚相连;复杂可编程逻辑器件还包括标识接口;微处理器还与温度检测脚相连。

通过将微处理器与数模转换电路相连,用于控制LDMOS功放管的栅极电压;外接信号可通过接口转换电路与微处理器通信,以控制LDMOS功放管的栅极电压,大大降低了手动调栅极电压的烦琐。微处理器可通过其相应的接口同时读取栅极电压与LDMOS功放管温度,保证评估数据的准确性。在通用控制装置上设置MOS场效应管,保证了对带MOSFET和不带MOSFET的不同评估板都能进行性能评估。微处理器与复杂可编程逻辑器件的输入端相连,复杂可编程逻辑器件的输出端与逻辑控制输出脚相连,逻辑控制输出脚可用于设置LDMOS功放管的工作状态,使得通用控制装置除了能对处于发射状态的LDMOS功放管进行评估外还能对处于TDD状态的LDMOS功放管进行评估。通过受微处理器控制的复杂可编程逻辑器件模拟在TDD状态下的功放控制信号,复杂可编程逻辑器件的标记接口可外接信号,决定在TDD状态下,逻辑控制输出脚的信号时序,从而实现LDMOS功放管的TDD性能调试。

通用控制装置还包括电源开关电路、电源输出脚,所述电源开关电路分别与电源输出脚、接口转换电路、微处理器、数模转换电路、复杂可编程逻辑器件相连。

进一步的,电源开关电路包括评估板电源开关、通用控制装置电源开关,低压差线性稳压器,所述评估板电源开关与电源输出脚相连,通用控制装置电源开关与低压差线性稳压器相连,低压差线性稳压器分别与接口转换电路、微处理器、数模转换电路、复杂可编程逻辑器件相连。接口转换电路为RS232接口芯片,RS232接口芯片与微处理器的UART接口相连。温度检测脚与微处理器的I2C接口相连。数模转换电路的输入端与微处理器的SPI接口相连。

本实用新型的有益效果是,能够满足LDMOS功放管评估所需要的各种控制电路,在评估不同的功放管时按需选取相应的输出脚来与LDMOS功放评估板进行连接,保证了带MOS场效应管和不带MOS场效应管的LDMOS功放评估板都能进行功放的发射状态和TDD状态的性能评估,且能够简化栅极电压调整过程,保证评估数据的准确性。

附图说明

图1为实施例1中通用控制装置使用示意图;

图2为实施例2中通用控制装置使用示意图。

具体实施方式

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯通科技(成都)有限公司,未经芯通科技(成都)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020301230.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top