[实用新型]矿热炉低压补偿控制装置无效

专利信息
申请号: 201020257659.2 申请日: 2010-07-13
公开(公告)号: CN201750156U 公开(公告)日: 2011-02-16
发明(设计)人: 刘惠民;马忠义;何波 申请(专利权)人: 新疆德正矿业投资有限公司
主分类号: H02J3/18 分类号: H02J3/18
代理公司: 西安创知专利事务所 61213 代理人: 谭文琰
地址: 830000 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市五*** 国省代码: 新疆;65
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摘要:
搜索关键词: 矿热炉 低压 补偿 控制 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型属于低压补偿技术领域,尤其是涉及一种矿热炉低压补偿控制装置。

背景技术

矿热炉是一个低电压、大电流的感性负载,如果功率因数达不到国家规定的指标,经常遭遇供电部门的罚款。功率因数越低,罚款越多。因此,各企业都在电网上并联低压补偿电容器,以提高功率因数。可以在高压侧加电容,也可在低压侧加电容。由于高压侧加电容比较便宜,过去企业都在高压侧加电容。近些年来,人们发现采用低压补偿不仅可以提高功率因数,还可以提高变压器的输出功率。因此大家开始重视低压补偿。

对矿热炉来说,低压侧加电容以后,会使电炉电极电压发生变化,但是,如果补偿的接入点选择不好,控制的方式不好,会使电极的插深不同,电炉的三个坩埚互相难以沟通,其结果所输入功率尽管增加,但是产量不高、电耗不低。现有的低压补偿控制装置中,低压补偿电容器一般采用专用接触器或可控硅来投切并完成一定的灭弧功能,但是,由于在电容器接入系统的瞬间,会有一个很大的冲击电流,这一方面使得接触器很快损坏,另一方面电容器的寿命也会大大降低,如果采用专用的电容接触器投切,不仅价格昂贵,而且使用一段时间以后,时间特性发生变化,又会使接触器烧坏,更换成本高。如果采用可控硅的方案,又存在如下缺陷:一是成本高,另外可控硅在工作时会产生谐波和热量。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,提供一种矿热炉低压补偿控制装置,其在确保功率因素高的前提下,结构简单、设计合理、成本低,使用寿命较长且使用效果好。

为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:一种矿热炉低压补偿控制装置,包括低压补偿控制系统、接入短网的多个低压补偿电容器和分别对应与多个低压补偿电容器串联连接的多个投切开关,其特征在于:所述低压补偿电容器接入短网的接入点位于短网与电极的软联接合处;所述投切开关为双接触器投切开关。

所述双接触器投切开关由电阻R、开关S1和开关S2构成,电阻R与开关S1串联连接,开关S2并联在相串联的电阻R和开关S1的两端。

本实用新型与现有技术相比具有以下优点:

1、由于低压补偿电容器的接入点位于矿热炉短网与电极的软连接合处,且在具体实施过程中,在低压补偿电容器的投切上采用三电极输入功率相同的控制方法,有利于减小三相电极间的不平衡,提高冶炼效率,提高产量,降低电耗。

2、由于投切开关为双接触器投切开关,采用普通的开关S1和开关S2以及电阻R构成,由于普通接触器与专用的电容接触器或可控硅相比,价格便宜,因此虽然接触器数量增加,成本反而降低了很多,且使用起来安全可靠,既能延长接触器的寿命、减小冲击电流对系统的影响,又避免了采用可控硅产生的谐波和可控硅的发热问题。

下面通过附图和实施例,对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型低压补偿电容器与投切开关的结构示意图。

附图标记说明:

1-低压补偿控制系统;2-低压补偿电容器;3-投切开关;

4-变压器;5-电极。

具体实施方式

如图1和图2所示,本实用新型包括低压补偿控制系统1、接入短网的多个低压补偿电容器2和分别对应与多个低压补偿电容器2串联连接的多个投切开关3,其特征在于:所述低压补偿电容器2接入短网的接入点位于短网与电极5的软联接合处;所述投切开关3为双接触器投切开关。

本实施例中,所述双接触器投切开关由电阻R、开关S1和开关S2构成,电阻R与开关S1串联连接,开关S2并联在相串联的电阻R和开关S1的两端。

本实用新型的工作过程是:低压补偿控制系统1与变压器4和投切开关3相接,低压补偿控制系统1分别测取每一相电极的电压、电流,从而计算出每相电极的有功功率,如果某相电极的有功功率过低,则控制投切开关3投入低压补偿电容器2,增加该相的补偿量;反之,如果某相电极的有功功率过高,则控制投切开关3切除低压补偿电容器2,减小该相的补偿量,使得三个电极的输入功率保持相同。

当开关S1接入时,由于有电阻R接入,限制了充电电流,20ms以后,低压补偿电容器2上的电压接近电网电压,充电电流减小,此时开关S2接入,短接了电阻R,完成了低压补偿电容器2的投入。由于时间很短,因此电阻的功率可以很小,由于普通接触器与专用的电容接触器或可控硅相比,价格便宜,因此虽然接触器数量增加,成本反而降低了很多,且使用起来安全可靠,既能延长接触器的寿命、减小冲击电流对系统的影响,又避免了采用可控硅产生的谐波和可控硅的发热问题。

以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例,并非对本实用新型作任何限制,凡是根据本实用新型技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化,均仍属于本实用新型技术方案的保护范围内。

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