[发明专利]聚酰亚胺薄膜层合物及包含其的金属层压板有效
申请号: | 201010614965.1 | 申请日: | 2010-12-30 |
公开(公告)号: | CN102555389A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 吕常兴;秦羲仪;刘淑芬;金进兴 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | B32B27/28 | 分类号: | B32B27/28;B32B27/18;B32B15/08;B32B15/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚酰亚胺 薄膜 层合物 包含 金属 层压板 | ||
【技术领域】
本发明涉及聚酰亚胺薄膜层合物及包含其的金属层压板,特别涉及一种高导热性及高耐电压性聚酰亚胺薄膜层合物及包含其的金属层压板。
【背景技术】
在电子产品朝向轻量薄型及行动化的趋势下,电子产品的构装密度越来越集成化。再加上功能的需求也越来越高,所需驱动电力功率也一直往上增加,系统所产生的热量也随之直线上升,如何经由良好的散热以维持电子产品系统稳定运作将成为关键。聚酰亚胺树脂因具有优异的耐热性、机械特性及电性特性,因此常被用来作为铜箔基板材料的绝缘层,为应付未来电子产品朝向微型化及高速化趋势所带来的散热问题,例如能在基板中的树脂绝缘层赋予导热的功能,可提供较佳的元件散热途径,以增加元件的可靠度及寿命。
在US2006/0127686(A1)中,公开了将导热粒子如氧化铝、氧化硅、氮化硼、氧化硼包覆的氮化铝、铝粉、二氧化硅、碳化硅、氮化铝、二氧化钛、磷化钙、或钛化钡添加至聚酰亚胺膜的结构中。该些导热粒子的添加量约占薄膜成品总重为40~85wt%,由实施例可看出所得的聚酰亚胺薄膜的热导传导系数皆小于1.0W/m.K以下。
在JP 9137060(A)中,公开了以氮化硼或氮化铝提高聚酰亚胺膜的导热性。氮化硼或氮化铝的平均粒径约介于0.1微米至10微米之间,而薄膜成品的热导传导系数约介于0.2W/m.K至0.6W/m.K之间,其热传导性并不高。
在US专利5,078,936中,公开了以碳黑增加聚酰亚胺膜的导热性/导电性的方法,但此专利仅局限于导电性的应用。
由上述专利所公开的内容可知,现有技术所采用的无机填充粒子可提高导热性,但也同时提高许多不需提高的性质如介电常数、介电损失、及薄膜硬度。尤其在高含量无机填充粒子添加时,还容易产生脆性问题,无法完成薄膜的制作;若采用高热传导性物质如碳纳米管、碳黑、碳纤维或石墨材料添加,则树脂可展现高的热传导性,但此时树脂通常已具有一定的导电能力,丧失一般高分子树脂所具有的电性绝缘特性。
【发明内容】
本发明提供一种聚酰亚胺薄膜层合物,包含:第一聚酰亚胺层,其中该第一聚酰亚胺层的热传导系数为0.2-0.9W/m.K,并且绝缘破坏强度不小于3KV;形成于该第一聚酰亚胺层之上的第二聚酰亚胺层,其中该第二聚酰亚胺层的热传导系数大于1W/m.K;以及形成于该第二聚酰亚胺层之上的第三聚酰亚胺层,其中该第三聚酰亚胺层的热传导系数为0.2-0.9W/m.K,并且绝缘破坏强度不小于3KV。
本发明亦提供一种金属层压板,包含第一金属薄膜,以及上述的聚酰亚胺薄膜层合物,其中该聚酰亚胺薄膜层合物配置于该第一金属薄膜上。
以下借助多个实施方式并结合附图,更进一步说明本发明的方法、特征及优点,但并非用来限制本发明的范围,本发明的范围应以所附的权利要求书为准。
【附图说明】
图1为本发明一实施方式所述的聚酰亚胺薄膜层合物的剖面示意图。
图2为本发明一实施方式所述的覆铜层压板的剖面示意图。
图3为本发明一实施方式所述的双面软性铜箔基板的剖面示意图。
【主要附图标记说明】
10~聚酰亚胺薄膜层合物;
12~第一聚酰亚胺层;
14~第二聚酰亚胺层;
16~第三聚酰亚胺层;
18、22~金属薄膜;
20~金属层压板;
30~双面软性铜箔基板;
T1~第一聚酰亚胺层的厚度;
T2~第二聚酰亚胺层的厚度;以及
T3~第三聚酰亚胺层的厚度。
【具体实施方式】
本发明提供一种聚酰亚胺薄膜层合物,通过多层聚酰亚胺薄膜结构设计达到具有高导热性及耐电压电性绝缘特性。
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