[发明专利]投影式斜坡曝光光刻机装置与方法有效
申请号: | 201010606317.1 | 申请日: | 2010-12-22 |
公开(公告)号: | CN102540748A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 张俊;闻人青青;陈勇辉 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 王光辉 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 投影 斜坡 曝光 光刻 装置 方法 | ||
1.一种投影式斜坡曝光光刻机,沿光传播方向依次包括:
照明系统,用以出射一光束;
掩模,该掩模上形成有标记图案,该光束照射该掩模上的标记图案产生包含有该标记图案信息的出射光;
倾斜光学镜组;
物镜;以及
基底,该基底具有斜坡;
其中,该出射光经该倾斜光学镜组、该物镜在该基底的斜坡上方形成斜坡空间像,并利用该斜坡空间像对该基底的斜坡进行曝光。
2.根据权利要求1所述的光刻机,其中,倾斜光学镜组为楔形玻璃。
3.根据权利要求1所述的光刻机,其中,倾斜光学镜组为透镜或透镜组。
4.根据权利要求1所述的光刻机,其中,该掩模的标记图案经该倾斜光学组镜成斜坡空间像,且该斜坡空间像的水平分量或垂向分量存在偏移、缩放。
5.根据权利要求1所述的光刻机,还包括用于承载该掩模的掩模台。
6.根据权利要求1所述的光刻机,还包括用于承载该基底的工件台。
7.根据权利要求6所述的光刻机,还包括置于该工件台上的用于工件台对准测量的传感器。
8.根据权利要求1所述的光刻机,其中,该照明系统包括用于限制视场大小的狭缝。
9.根据权利要求1-8中任意一个的光刻机,其中,该物镜的放大倍率为1倍。
10.一种投影式斜坡曝光光刻机,沿光传播方向依次包括:
照明系统,用以出射一光束;
掩模,该掩模上形成有标记图案,该光束照射该掩模上的标记图案产生包含有该标记图案信息的出射光;
物镜;
倾斜光学镜组;以及
基底,该基底具有斜坡;
其中,该出射光经该物镜、该倾斜光学镜组在该基底斜坡上方形成斜坡空间像,并利用该斜坡空间像对该基底斜坡进行曝光。
11.根据权利要求1所述的光刻机,其中,该掩模的标记图案经该倾斜光学组镜在该基底表面上方成斜坡空间像,且该斜坡空间像的水平分量或垂向分量存在偏移、缩放。
12.根据权利要求10的光刻机,其中,倾斜光学镜组为楔形玻璃。
13.根据权利要求10的光刻机,其中,倾斜光学镜组为透镜或透镜组。
14.根据权利要求10所述的光刻机,还包括用于承载该掩模的掩模台。
15.根据权利要求10所述的光刻机,还包括用于承载该基底的工件台。
16.根据权利要求15所述的光刻机,还包括置于该工件台上的用于工件台对准测量的传感器。
17.根据权利要求10所述的光刻机,其中,该照明系统包括用于限制视场大小的狭缝。
18.根据权利要求10-17中任意一个的光刻机,其中,该物镜的放大倍率为1倍。
19.利用权利要求1-18所述的光刻机进行斜坡曝光的方法,包括下述步骤:
(1)根据基底上需要曝光的斜坡的位置、范围、高度和倾斜角度,计算所需要增加的倾斜光学镜组的形状尺寸和安装位置,以及掩模补偿量;
(2)根据计算结果,制作用于斜坡曝光的具有标记图案的掩模和倾斜光学镜组;
(3)在投影式光刻机中,掩模面下或基底面上安装倾斜光学镜组,并上载该用于斜坡曝光的掩模;
(4)调整照明狭缝,使得照明视场位置和大小变化,照明该掩模的标记图案;
(5)采用工件台对准测量传感器,测量该标记图案的斜坡空间像的三维位置;
(6)根据测量结果计算该斜坡空间像坡度和斜坡空间像中各组标记图案之间的距离,然后调整倾斜光学镜组,并重新测量空间像位置,直到该坡度和各组标记图案之间的距离达到最佳;
(7)该基底对准后,调整需要斜坡曝光的该基底斜坡到所测量的斜坡空间像位置,对该基底斜坡进行曝光;
(8)下该基底,显影,并做后续工艺处理。
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