[发明专利]半导体器件的失效分析方法

权利要求书

1.一种半导体器件的失效分析方法，其特征在于：其包括步骤：

S101：去除半导体器件背面的铜层；

S103：对半导体器件背面的硅层进行减薄；及

S105：使用微光显微镜(Emission Microscope，EMMI)和/或镭射光束诱发阻抗值变化测试(OBIRCH)电性定位设备定位半导体器件背面的失效点。

2.如权利要求1所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，所述步骤S101中使用70％的硝酸溶液浸泡半导体器件的背面以去除铜层。

3.如权利要求2所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，所述步骤S101中铜层去除后的半导体器件背面形成U形窗口。

4.如权利要求1所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，所述步骤S103中采用全自动样品制备(Automated Sample Prep)设备对硅层进行减薄。

5.如权利要求4所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，所述步骤S101中去除铜层后的半导体器件背面形成U形窗口，其中全自动样品制备设备在该窗口中对硅层进行研磨减薄。

6.如权利要求4所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，所述步骤S103中采用三种不同的钻头对硅层进行研磨减薄。

7.如权利要求1所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，所述OBIRCH电性定位设备具有drain端探针、gate端探针及source端探针，半导体器件包括具有正面及所述背面的主体部及管脚，其中drain端探针直接接触主体部的背面，gate端探针及source端探针连接半导体器件的管脚。

8.如权利要求7所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，所述半导体器件的背面依次具有铜层、硅层及芯片叠层，其中所述drain端探针接触芯片叠层。