[发明专利]直流离子风机高效能高压包有效

专利信息
申请号: 201010599783.1 申请日: 2010-12-22
公开(公告)号: CN102026464A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 成玉磊;赵雷;孙玉荣;王洪万 申请(专利权)人: 苏州天华超净科技股份有限公司
主分类号: H05F3/06 分类号: H05F3/06;H02M9/02
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 陆明耀;姚姣阳
地址: 215121 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 直流 离子 风机 高效能 高压包
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种直流离子风机高效能高压包,尤其涉及一种防静电直流离子风机高效能高压包。

背景技术

离子风机是一种防静电电子产品,一般由高压包、风机和发射针架三部分组成。离子风机分为直流和交流两种,所谓直流离子风机是由高压包产生正、负两种高压输出端分别通过发射针向空气介质输出两种稳定的直流高压。由以上原理和结构可知,高压包是一种产生直流高压的部件,是离子风机的核心部件。

现有技术中,直流离子风机的高压包的代表性结构可参见中国专利公报于2010年9月15日公开的,公开号为CN101835333A,名称为《一种离子风机高压包》的发明专利申请。该专利申请中公开了一种离子风机离压包,该高压包包括两个高压变压器,每个高压变压器的输入端连接各自作为输入电源的振荡电路单元,输出端连接各自的整流单元。该专利申请公开的方案的主要点是正电压、负电压两路调整,使输出高压更加稳定,使离子风机的平衡电压参数能更接近于0V。但,上述专利申请方案中仅提到振荡电路单元中的三极管基极是电连接一名为“离子风机高压调节模拟电压输出电路”的电路,并没有公开其具体结构。而“离子风机高压调节模拟电压输出电路”是高压包的重要组成部分,人们需要控制该电路的输出,来保证高压包输出的正电压和负电压值的精确可调。现市场上虽有很多种电源电路,但大多结构复杂、功耗高,发热量高,不能适用于此。

发明内容

本发明的目的在于解决上述的技术问题,提供一种直流离子风机高效能高压包。

本发明的目的通过以下技术方案来实现:

一种直流离子风机高效能高压包,包括正高压产生电路和负高压产生电路,所述正高压产生电路包括第一高压变压器及与第一高压变压器的次级线圈连接的第一倍压整流电路,负高压产生电路包括第二高压变压器及与第二高压变压器的次级线圈连接的第二倍压整流电路;

所述第一高压变压器的初级线圈上并联第一电容,该第一电容的一端上接电源输入正极,另一端接第一场效应管的漏极,而第一场效应管的源极接地;所述第二高压变压器的初级线圈上并联第二电容,该第二电容的一端接电源输入负极,另一端接第二场效应管的漏极,而第二场效应管的源极接地;所述第一场效应管和第二场效应管均为N沟增强型MOS管;

本高压包还包括一脉冲发生器,该脉冲发生器包括一可调电阻、可控硅、电感、第三电容及稳压二极管,所述可调电阻的一端接控制电源正极,另一端接所述可控硅的阳极,而可控硅的阴极接所述电感一端,该电感另一端接地;所述第三电容一端接于可控硅的阳极,其另一端接地;而所述可控硅的控制极接所述稳压二极管的阳极,稳压二极管的阴极接于可控硅的阳极上;所述可控硅的阴极上接出一路作为输出,该输出接于所述第一场效应管的栅极和第二场效应管的栅极上,向第一场效应管和第二场效应管提供脉冲电压。

进一步地,所述第一倍压整流电路和第二倍压整流电路的输出端上均串接有接地保护电阻。

进一步地,所述可控硅采用MCR100系列芯片,而所述第一场效应管和第二场效应管采用IRFU214系列芯片。

本发明的有益效果主要体现在:本发明的直流离子风机高压包通过采用电容、场效应管以及与特别的脉冲发生器配合产生大小可控的交变振荡波形,且输出的正电压和负电压精确可调;本发明采用的脉冲发生器具有工作可靠、功耗小、发热小的优点。

附图说明

下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明。

图1:本发明的优选实施例电路原理图。

具体实施方式

本发明揭示了一种直流离子风机高效能高压包,如图1所示,一种直流离子风机高效能高压包,包括正高压产生电路和负高压产生电路,所述正高压产生电路包括第一高压变压器T1及与第一高压变压器T1的次级线圈连接的第一倍压整流电路,负高压产生电路包括第二高压变压器T2及与第二高压变压器T2的次级线圈连接的第二倍压整流电路。

所述第一高压变压器T1的初级线圈上并联第一电容C2,该第一电容C2的一端上接电源输入正极VIN+,另一端接第一场效应管Q1的漏极,而第一场效应管Q1的源极接地;所述第二高压变压器T2的初级线圈上并联第二电容C8,该第二电容C8的一端接电源输入负极VIN-,另一端接第二场效应管Q2的漏极,而第二场效应管Q2的源极接地;所述第一场效应管Q1和第二场效应管Q2均为N沟增强型MOS管。

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