[发明专利]连续直写纳米粒子溶液的扫描探针及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010591933.4 申请日: 2010-12-17
公开(公告)号: CN102565460A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 彭倍 申请(专利权)人: 彭倍
主分类号: G01Q60/38 分类号: G01Q60/38;B81B1/00;B81C1/00
代理公司: 成都立信专利事务所有限公司 51100 代理人: 江晓萍
地址: 611731 四川省成都市高新区西源大道*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 连续 纳米 粒子 溶液 扫描 探针 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于微纳米科学领域,特别与连续直写纳米粒子溶液的扫描探针及其制造方法有关。

背景技术

扫描探针刻蚀加工技术(SPL)是利用扫描探针显微镜进行纳米刻蚀加工而发展成的一种技术。该技术将显微镜作为定位的“手臂”,将安装在显微镜上的扫描探针作为“笔”,通过蘸取具有化学亲和力的分子在基底上“书写”,形成稳定的纳米结构。该技术具有高分辨率、定位准确、直接书写等优点,在物理、化学、生物等领域的纳米尺度研究中得到了广泛的应用。其中,扫描探针(笔)的设计和制造技术是SPL的关键。

最初的SPL技术利用原子力显微镜(AFM)探针(Chad Mirkin,2000年),由于AFM探针针尖直径可达10纳米,因此刻蚀的最小线宽可达10纳米左右。SPL技术的优点是分辨率极高,但瓶颈是需要不断地蘸取书写分子溶液,无法刻蚀面积很大或者较复杂的图形。2008年,Andre Meister等人发明了一种内置微通道的扫描探针(US Patent 20080302960A1),在扫描探针针尖处打微型孔,并由内置的微通道连通到芯片上的贮液槽。通过将贮液槽中的分子溶液源源不断输送到针尖口,实现连续直写,解决了需不断蘸取书写液的问题。但该技术也存在致命的缺陷:完全改变了分子溶液的传输机理,无法达到SPL所需的分辨率,也就失去了纳米刻蚀的意义。SPL技术是通过AFM针尖和基底之间形成纳米厚的气液向界面,利用分子运动从浓度高向浓度低处迁移的原理,使针尖上的分子迁移到基底上,形成分子自组装。而打孔后,分子溶液直接接触基底,形成大的液滴,分辨率大大降低。

发明内容

本发明的目的是为了提供一种既具有AFM探针的书写分辨率,又可实现分子溶液的传输,能解决SPL技术瓶颈的连续直写纳米粒子溶液的扫描探针。本发明的另一个目的是为了提供这种扫描探针的制造方法。

本发明的目的是这样来实现的:

本发明连续直写纳米粒子溶液的扫描探针,包括有探针针尖和悬臂梁的硅基底,位于探针针尖周边与探针针尖之间有环形针尖微通道从而与探针针尖形成火山口式结构的环形外壳,探针针尖顶端伸出环形外壳外,悬臂梁远离探针针尖的一端上有贮液槽,位于悬臂梁内的输送微通道的两端分别与环形针尖微通道、贮液槽连通,探针针尖顶端直径为16~22nm,探针针尖顶端直径为16~22nm米,保证了纳米刻蚀的分辨率,贮液槽使分子溶液通过毛细力输送到探针针尖火山口,实现分子溶液的连续供给。

上述的探针针尖顶端伸出环形外壳0.8~1.2mm,环形外壳壁厚480~520nm,环形针尖微通道间隙为480~520nm,输送微通道的直径为0.8~1.2mm。

上述的探针针尖顶端直径为20nm且伸出环形外壳1μm,环形外壳壁厚500nm,环形针尖微通道间隙为500nm,输送微通道的直径为1mm。

上述的贮液槽形状为梯形。

本发明方法包括如下步骤:

1)在硅基底上利用KOH溶液刻蚀出扫描探针针尖原型,再氧化针尖,刻蚀氧化层使针尖锐化,使针尖直径达到16—22nm;

2)在硅基底上依次分别沉积:

(1)0.25—0.30mm氮化硅薄膜,并刻蚀一个开口以备使其与背面贮液槽连通;

(2)0.4—0.5mm二氧化硅牺牲层;

(3)0.25—0.5mm氮化硅薄膜;

       3)在扫描探针左侧部分刻蚀出微通道开口,然后利用CF4溶液刻蚀氧化硅牺牲层,形成微通道;

       4)在微通道开口两端沉积一层0.25~0.35μm的氮化硅薄膜,将微通道开口密封;

       5)刻蚀微通道开口处多余氮化硅薄膜,在KOH溶液中,利用各向异性刻蚀技术在硅基底背面刻蚀出贮液槽,即成。

工作时,分子溶液通过毛细力能够从硅基底上贮液槽通过探针针尖和环形外壳间环形针尖微通道输送到针尖附近,在环形外壳边缘即停止,这样保证了溶液不会直接流到硅基底上。分子是通过迁移作用从探针针尖迁移到硅基底,形成自组装层,这样保证了刻蚀的分辨率。采用多个本发明探针便可形成纳米刻蚀扫描探针陈列芯片。

本发明纳米刻蚀扫描探针具有以下优点。

(1)通过悬臂梁内置微通道将火山口式针尖和硅基底贮液槽连通,实现了连续供给溶液,在硅基底上进行连续直接书写;

(2)书写分辨率高,其书写的纳米线条宽度为30nm左右;

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