[发明专利]晶体装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶体装置，特别涉及一种能够对频率进行微调整的晶体装置。

背景技术

(发明的背景)

众所周知，晶体装置例如晶体振子，作为频率控制元件，广泛地安装于通信设备或者数字控制设备。作为其中的一种，具有使用了台面型晶片的表面安装型的晶体振子(以下称作“表面安装振子)，其产量化正日益提高。

(现有技术的一例，参照专利文献1)

图8是说明了表面安装振子的一个现有技术例的视图，该图(a)为纵向截面图，该图(b)为晶片的立体图，该图(c)是该图(b)中晶片的A-A箭头方向所视的截面图。

图8(a)所示的表面安装振子1的构成为，晶片3a收容于具有凹部2e的容器主体2中，盖4接合于容器主体2的开口端面。容器主体2由陶瓷构成，并且通过在平板状的底壁2a上层压框壁2b而形成。在容器主体2的内底面2c上设置有晶体保持端子5。晶体保持端子5经由导电通路6，与形成于容器主体2的外底面2d上的安装端子7电性连接。

如图8(b)和(c)所示，收容于容器主体2的晶片3a从平面观看为大致矩形形状。而且，通过在晶片3a的两个主表面上设置凸部，形成厚壁部8和厚壁部8的周围的薄壁部9，从而成为台面型。在厚壁部8的两个主表面上形成有激励电极10。在晶片3a一端部两侧，引出电极11从激励电极10延伸至薄壁部9。

激励电极10和引出电极11为例如下层是Cr(铬)、上层是Au(金)的层压金属膜。而且，引出电极11通过导电性粘接剂12粘接于容器主体2的晶体保持端子5。这样，晶片3a固定粘接于容器主体2的内底面2c，并收容于容器主体2中。而且，激励电极10与安装端子7电性连接。

接合于容器主体2的开口端面的盖4由以Fe(铁)为主要成分并且添加有Ni(镍)、Co(钴)的科瓦铁镍钴合金(Kovar)组成。在盖4的表面上具有通过例如电镀而形成的未示出的Ni膜。而且，盖4也可以通过例如缝焊而接合于容器主体2的开口端面，从而将晶片3a密闭封入于容器主体2内。

对于这种表面安装振子1，如下调整其频率。首先，以形成比目标频率低的频率的方式在晶片3a上形成激励电极10。具体地说，由于激励电极10的质量越大频率越低，因此将激励电极10的质量设定为目标频率所对应的激励电极10的质量以上。接着，通过在激励电极10上照射氩离子(参照图9的箭头B)使金属蒸散，而对激励电极10进行修整。并且，减少了激励电极10的质量(厚度)。通过这种方式，晶片3a的频率变高，能够将其调整至目标频率。

专利文献1：日本特开2005-159717号公报

专利文献2：日本特开2002-185286号公报

专利文献3：日本特开2008-47982号公报

发明内容

(发明要解决的问题)

(现有技术的问题点)

但是，在上述构成的现有技术例的表面安装振子1中，存在难以对非常精确的频率进行微调整的问题。即，由于晶片3a为台面型，振动能量集中在激励电极10所形成的厚壁部8。从而，激励电极10的质量变化对晶片3a的振动造成的影响较大。因此，当修整激励电极10而使激励电极10的质量减少时，容易出现超出了微调整所允许的范围，晶片3a的频率变高的情况，存在频率的微调整困难的问题。

(发明的目的)

本发明的目的在于提供一种使用了能够对频率进行微调整的台面型晶片的晶体装置。

(解决技术问题的技术方案)

(着眼点以及其问题点)

在上述专利文献2和3中，提出了能够对频率进行微调整的晶片。具体地说，是通过修整设置于激励电极的外侧区域的频率调整用金属膜，而对频率进行微调整的晶片(参照例如专利文献3的第0023、0049段)。本发明着眼于该频率调整用金属膜。

利用图10对专利文献2和3中记载的晶片进行说明。图10中示出的晶片3b为平板状(参照图10(a))。而且，在其两个主表面上形成有激励电极10，引出电极11从激励电极10延伸至晶片3b的一端部两侧。并且，在晶片3b的一个主表面的另一端部上，形成有与激励电极10电性分离而独立存在的频率调整用金属膜13。