[发明专利]一种L10-FePt颗粒薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201010585896.6 | 申请日： | 2010-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102061451A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 李海波;刘梅;张玉梅;孟祥东;陈芳慧 | 申请（专利权）人： | 吉林师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/16 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 136000 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 l1 sub fept 颗粒 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种L10-FePt颗粒薄膜的制备方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：
步骤一、在室温下，采用直流磁控溅射法在基片上制备FeAg纳米薄膜；
步骤二、将步骤一制备的FeAg纳米薄膜置于磁场中进行真空退火；获得退火后的FeAg纳米薄膜；
步骤三、将步骤二获得退火后的FeAg纳米薄膜在室温下采用直流磁控溅射沉积Pt层后进行无磁场真空退火，获得L10-FePt/Ag薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种L10-FePt颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，步骤二所述的磁场真空退火的温度300～400℃，退火时间为0.5～1小时。
3.根据权利要求1或2所述的一种L10-FePt颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，步骤二所述的将FeAg纳米薄膜置于磁场中进行真空退火，所述磁场为0～10kOe磁场。
4.根据权利要求1所述的一种L10-FePt颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，步骤三所述的获得L10-FePt/Ag薄膜的具体过程为：采用直流磁控溅射沉积Pt层，获得Pt/FeAg薄膜；将所述Pt/FeAg薄膜进行无磁场真空退火，最终获得L10-FePt/Ag薄膜。
5.根据权利要求1或4所述的一种L10-FePt颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，步骤三所述的采用直流磁控溅射沉积Pt层后进行无磁场真空退火的温度为300～600℃，退火时间为0.5～1小时。
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