[发明专利]一种抗还原陶瓷介质材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010538862.1 申请日: 2010-11-11
公开(公告)号: CN102030526A 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 李太坤;林康;张军志;邹海雄 申请(专利权)人: 厦门松元电子有限公司
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468;C04B35/622
代理公司: 厦门原创专利事务所 35101 代理人: 陈建华
地址: 361022 福建省厦门市集*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 还原 陶瓷 介质 材料 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种抗还原陶瓷介质材料及其制备方法。

背景技术

多层陶瓷电容器(MLCC)是指将金属电极层和陶瓷材料介质层交替叠合在一起,经高温烧结成一致密体,再烧制端部外电极形成。适合在空气气氛中进行烧结的MLCC,都是以贵金属钯或钯银合金做内电极;并且所用的陶瓷介质材料中大多都含有铅、镉等有害金属元素。由于钯、银的价格较高,使得多层陶瓷电容器的材料成本居高不下。面对日趋激烈的市场竞争,众多MLCC生产厂家都在寻求各种办法降低生产成本;另外随着人们对环保的越来越重视,国际上已有相关的法令禁止铅、镉等有害金属元素的使用领域,对于常用的MLCC产品,更是被要求无铅化。面对这种局势,用廉价金属镍或镍合金替代贵金属作为内电极的想法被提出并很快得到证实是可行的,更重要的是这种替代能使MLCC的材料成本得到大幅度的下降;但另一方面,用镍或镍合金作为内电极的MLCC,如果在空气中烧结会引起内电极氧化,所以必须要在还原气氛中进行烧结。而在还原气氛中烧结,传统的匹配贵金属的陶瓷介质材料会发生还原,造成MLCC的绝缘电阻下降、损耗角正切值上升等电性能劣化现象,因此,选用镍或镍合金作为内电极时,要求所用的陶瓷介质材料必须具有抗还原性,以保证相应的MLCC产品在还原气氛中烧结后具有优良的介电性能。

对于具有EIA标准X7R温度特性的一类陶瓷介质材料,通常是以BaTiO3为基进行掺杂改性获得。所谓X7R,是指以25℃时的电容量为基准,在-55℃~+125℃的温度范围内,电容量变化率不超过±15%的范围。在国内进行的相关研究中,如中国专利CN 101333105A、CN1626475A、CN1604245A、CN1594217A等公开了用液相法制备的BaTiO3进行研究获得具有X7R特性的抗还原陶瓷介质材料。采用液相法制备钛酸钡的工艺较复杂,且要经过高温煅烧才能得到完全的四方相结构,能耗比固相法高。

发明内容

本发明的目的,是要提供一种抗还原陶瓷介质材料及其制备方法,它采用固相法合成单一的化合物Ba1-xMgxTi1-ySiyO3作为主晶相成分;所提供的陶瓷介质材料具有良好的分散性、均匀性及工艺稳定性;用于制备多层陶瓷电容器时,能与镍或镍合金内电极匹配良好,在还原气氛中烧结,实现细晶化,晶粒生长均匀,瓷体致密,缺陷少,具有优良的介电性能。

本发明是这样实现的,所述一种抗还原陶瓷介质材料,其特征在于:由主晶相成分及改性添加剂组成;以固相法合成的Ba1-xMgxTi1-ySiyO3(其中0.03≤x≤0.15,0.02≤y≤0.10)作为主晶相成分,主晶相成分在介质材料的配方组成中所占的摩尔份数为93~98 mol%;改性添加剂选自CaO、SrO、Y2O3、ZrO2、Eu2O3、MnO2、SiO2、Al2O3、ZnO中的三种或三种以上;改性添加剂中的各种氧化物在所述介质材料中所占的摩尔份数为,CaO占0.2~3 mol%、SrO占0~2 mol%,Y2O3占0~2 mol%,,ZrO2占0~1 mol%,Eu2O3占0~1mol%,MnO2占0.1~0.8 mol%,SiO2占0~3 mol%,Al2O3占0~2 mol%,ZnO占0~3 mol%;改性添加剂在介质材料的配方组成中所占的摩尔份数为2~7 mol%。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门松元电子有限公司,未经厦门松元电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010538862.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top