[发明专利]基板电极结构的制造方法有效
| 申请号： | 201010532040.2 | 申请日： | 2010-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102456482A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 李坤穆;傅思萍;邱伟豪;洪诠雅 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01G9/04 | 分类号： | H01G9/04;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 结构 制造 方法 | ||
1.一种基板电极结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基板，其上面具有一图案化金属层定义出一电极区域，其中一保护胶覆盖该图案化金属层，且一电极层制备在该电极区域内；以及
实施一填补步骤以沉积一纳米氧化物于该电极区域，使其填满整个电极区域。
2.根据权利要求1所述的基板电极结构的制造方法，其特征在于，该填补步骤包括实施一电沉积法。
3.根据权利要求2所述的基板电极结构的制造方法，其特征在于，该电沉积法包括实施一电泳沉积法，以沉积该纳米氧化物颗粒于该电极层与该保护胶之间的间隙。
4.根据权利要求1所述的基板电极结构的制造方法，其特征在于，该纳米氧化物包括氧化钛、二氧化钛、氧化锌、氧化锡、或氧化硅。
5.根据权利要求1所述的基板电极结构的制造方法，其特征在于，该填补步骤包括：
实施一第一电泳沉积法，以沉积细粒径的纳米氧化物颗粒于该电极层与该保护胶之间的间隙；以及
实施一第二电泳沉积法，以沉积粗粒径的纳米氧化物颗粒于该电极层与该保护胶之间的间隙。
6.根据权利要求5所述的基板电极结构的制造方法，其特征在于，该细粒径的纳米氧化物颗粒的粒径大小是介于5nm到50nm，且该粗粒径的纳米氧化物颗粒的粒径大小是介于50nm到400nm。
7.根据权利要求1所述的基板电极结构的制造方法，其特征在于，还包括一干燥步骤和一煅烧步骤，其中该煅烧步骤的温度为介于100～550℃之间。
8.一种基板电极结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供一透明导电基板，其上面具有一图案化金属层定义出一电极区域，其中一保护胶覆盖该图案化金属层，且一电极层形成于该电极区域内；
实施一第一电泳沉积步骤沉积细粒径的纳米氧化物颗粒于该电极层与该保护胶之间的间隙；以及
实施一第二电泳沉积步骤沉积粗粒径的纳米氧化物颗粒于该电极层与该保护胶之间的间隙。
9.根据权利要求8所述的基板电极结构的制造方法，其特征在于，该纳米氧化物包括氧化钛、二氧化钛、氧化锌、氧化锡、或氧化硅。
10.根据权利要求8所述的基板电极结构的制造方法，其特征在于，该细粒径的纳米氧化物颗粒的粒径大小是介于5nm到50nm，且该粗粒径的纳米氧化物颗粒的粒径大小是介于50nm到400nm。
11.根据权利要求8所述的基板电极结构的制造方法，其特征在于，还包括一干燥步骤和一煅烧步骤，其中该煅烧步骤的温度为介于100～550℃之间。
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