[发明专利]温度补偿薄膜体波谐振器及加工方法

权利要求书

1.一种温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，包括如下结构：

(a)基底；

(b)位于基底上的声反射镜；

(c)位于声反射镜上的底电极；

(d)位于底电极上的压电层；

(e)位于压电层上的复合结构，所述的复合结构包括：

(i)压电层上的第一电极；

(ii)第一电极上的温度补偿层；

(iii)温度补偿层上的第二电极，它与第一电极导电连接。

2.根据权利要求1所述的温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，所述的温度补偿层的频率温度系数与压电层的频率温度系数相反。

3.根据权利要求1所述的温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，所述的温度补偿层的材料为碲氧化物、氧化硅或是它们的组合物。

4.根据权利要求1所述的温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，所述的温度补偿层上有一个或多个的导通孔或沟道，从而使第一电极通过所述的一个或多个的导通孔或沟道与第二电极进行导电连接。

5.一种权利要求1所述的温度补偿薄膜体波谐振器的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：

(a)在基底上形成声反射层；

(b)在声反射层上形成底电极层；

(c)在底电极层上形成压电层；

(d)在压电层上形成第一电极；

(e)在第一电极上形成温度补偿层；

(f)在温度补偿层上形成一个或多个导通孔或沟道；

(g)将导电材料沉积在温度补偿层上并经光刻形成图样，从而使所述的导电材料填充一个或多个的导通孔或沟道内，填充于一个或多个的导通孔或沟道内的导电材料与第一电极相连；

(h)平坦化处理沉积在温度补偿层上并已形成图样的导电材料，直到温度补偿层的上表面暴露出来；

(i)将第二电极沉积在平坦的温度补偿层上并经光刻形成图样，第二电极通过填充在一个或多个导通孔或沟道内的导电材料与第一电极相连。

6.根据权利要求5所述的温度补偿薄膜体波谐振器的加工方法，其特征在于，所述的温度补偿层的频率温度系数与压电层的频率温度系数相反。

7.根据权利要求5所述的温度补偿薄膜体波谐振器的加工方法，其特征在于，所述的温度补偿层的材料为碲氧化物或氧化硅或是它们的组合。

8.一种温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，包括如下结构：

(a)基底；

(b)位于基底上的声反射镜；

(c)位于声反射镜上的复合结构，所述的复合结构包括；

(i)位于声反射镜上的第一电极；

(ii)位于第一电极上的温度补偿层；

(iii)位于温度补偿层上的第二电极，所述的第二电极与第一电极导电连接；

(d)位于复合结构中的第二电极上的压电层；

(e)位于压电层上的顶电极。

9.根据权利要求8所述的温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，所述的温度补偿层的频率温度系数与压电层的频率温度系数相反。

10.根据权利要求8所述的温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，所述的温度补偿层的材料为碲氧化物或氧化硅或是它们的组合。

11.根据权利要求8所述的温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，所述的温度补偿层上有一个或多个导通孔或沟道，从而使第一电极与第二电极通过一个或多个的导通孔或沟道相互导电连接。

12.一种权利要求8所述的温度补偿薄膜体波谐振器的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：

(a)在基底上形成声反射层；

(b)在声反射层上形成复合结构，所述复合结构形成过程包括；

(i)在声反射层上形成第一电极；

(ii)在第一电极上形成具有斜侧壁的温度补偿层；

(iii)在温度补偿上形成第二电极，从而使第二电极与第一电极相连，其中，所述的复合结构的斜侧壁与温度补偿层的斜侧壁对齐；

(c)在复合结构中的第二电极上形成压电层；

(d)在压电层上形成顶电极。