[发明专利]离子敏感场效应晶体管

权利要求书

1.一种数字信号处理电路，该电路的一个或多个开关由离子敏感场效应晶体管提供。

2.根据权利要求1所述的电路，所述或每个离子敏感场效应晶体管包括在使用中暴露于要监控的介质的分析物敏感膜。

3.根据权利要求1所述的电路，该电路配置用作比较器，用于将离子敏感场效应晶体管所测量的参数值与阈值相比较，该电路包括按照反相器配置设置的离子敏感场效应晶体管和金属氧化物半导体晶体管。

4.根据权利要求3所述的电路，离子敏感场效应晶体管和金属氧化物半导体晶体管之一是n沟道器件，另一个是p沟道器件。

5.根据权利要求1所述的电路，所述数字信号处理电路设置用于实现以下功能之一或多个：AND、NAND、OR、XOR、NOR。

6.根据权利要求1所述的电路，所述数字信号处理电路使用CMOS逻辑电路。

7.根据权利要求1所述的电路，所述数字信号处理电路包括偏置装置，用于使所述或每个离子敏感场效应晶体管偏置在弱反转区中。

8.一种估计以介质的参数值作为输入之一的逻辑函数的方法，该方法包括：

配置离子敏感场效应晶体管，以作为逻辑电路的开关来工作；

将离子敏感场效应晶体管暴露于所述介质。