[发明专利]磁编码器装置无效
申请号: | 201010260902.0 | 申请日: | 2007-03-05 |
公开(公告)号: | CN101936749A | 公开(公告)日: | 2011-01-05 |
发明(设计)人: | 野口直之;森山克也;王泷辉彦;有贺英吉;沟口敏夫 | 申请(专利权)人: | 日本电产三协株式会社 |
主分类号: | G01D5/12 | 分类号: | G01D5/12;G01R33/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 编码器 装置 | ||
1.一种磁编码器装置,包括具备永磁体的磁尺、以及具备检测来自该磁尺的磁场的磁阻元件的磁传感器装置,在所述永磁体中,形成沿着与所述磁传感器装置的相对移动方向、N极与S极交替排列的轨道,其特征在于,
所述磁传感器装置检测在所述轨道的宽度方向的边缘部分中的面内方向的指向变化的旋转磁场,所述永磁体的厚度为1mm以上。
2.如权利要求1所述的磁编码器装置,其特征在于,
所述永磁体的厚度为2mm以上。
3.如权利要求1所述的磁编码器装置,其特征在于,
所述磁传感器装置检测在所述磁阻元件的磁阻曲线中、表示相对于从无磁场中的电阻值算起最大电阻变化率为20%以上的电阻变化的区域的磁场,并进行输出。
4.如权利要求1所述的磁编码器装置,其特征在于,
所述磁尺在背面侧具备衬底层,在表面侧具备保护层。
5.如权利要求1所述的磁编码器装置,其特征在于,
构成所述永磁体的磁体原料的用外部磁场的大小H与磁通密度B之积所求出的能积的最大值(B·H)max为1.2MGOe以上。
6.如权利要求1所述的磁编码器装置,其特征在于,
所述永磁体的所述轨道在宽度方向并列多条轨道,在所述多个轨道中,在相邻的轨道之间,N极及S极的位置在所述相对移动方向偏移。
7.如权利要求6所述的磁编码器装置,其特征在于,
在所述多个轨道中,在相邻的轨道之间,N极及S极的位置在所述相对移动方向偏移1个磁极的大小。
8.如权利要求7所述的磁编码器装置,其特征在于,
所述永磁体的所述轨道在宽度方向并列2列以上。
9.如权利要求8所述的磁编码器装置,其特征在于,
所述永磁体的所述轨道在宽度方向并列3列以上,所述磁传感器装置与所述3列以上的轨道中的奇数列部分的轨道对置,而且,在该磁传感器装置的两端部分对置的轨道之间,在所述相对移动方向上,N极位置一致并且S极位置一致。
10.如权利要求1所述的磁编码器装置,其特征在于,
所述永磁体是磁极仅面对着该永磁体的正反方向的各向异性磁体。
11.如权利要求1至10的任一项所述的磁编码器装置,其特征在于,
作为线性编码器或旋转编码器而被构成。
12.一种磁编码器装置,包括具备永磁体的磁尺、以及具备检测来自该磁尺的磁场的磁阻元件的磁传感器装置,在所述永磁体中,形成沿着与所述磁传感器装置的相对移动方向、N极与S极交替排列的轨道,其特征在于,
所述磁传感器装置检测在所述轨道的宽度方向的边缘部分中的面内方向的指向变化的旋转磁场,同时检测在所述磁阻元件的磁阻曲线中、表示相对于从无磁场中的电阻值起的最大电阻变化率为20%以上的电阻变化的区域的磁场,并进行输出。
13.如权利要求12所述的磁编码器装置,其特征在于,
所述磁尺在背面侧具备衬底层,在表面侧具备保护层。
14.如权利要求12所述的磁编码器装置,其特征在于,
构成所述永磁体的磁体原料的用外部磁场的大小H与磁通密度B之积所求出的能积的最大值(B·H)max为1.2MGOe以上。
15.如权利要求12所述的磁编码器装置,其特征在于,
所述永磁体的所述轨道在宽度方向并列多条轨道,在所述多个轨道中,在相邻的轨道之间,N极及S极的位置在所述相对移动方向偏移。
16.如权利要求15所述的磁编码器装置,其特征在于,
在所述多个轨道中,在相邻的轨道之间,N极及S极的位置在所述相对移动方向偏移1个磁极的大小。
17.如权利要求16所述的磁编码器装置,其特征在于,
所述永磁体的所述轨道在宽度方向并列2列以上。
18.如权利要求16所述的磁编码器装置,其特征在于,
所述永磁体的所述轨道在宽度方向并列3列以上,所述磁传感器装置与所述3列以上的轨道中的奇数列部分的轨道对置,而且,在该磁传感器装置的两端部分对置的轨道之间,在所述相对移动方向上,N极位置一致并且S极位置一致。
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