[发明专利]单晶棒破方方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池板加工工艺领域，更具体地说，涉及单晶棒破方方法。

背景技术

传统的单晶棒破方工艺，破方机通常使用携带砂浆钢线进行破方切割，由于破方切割的主体是砂浆(为悬浮液和碳化硅的混合物)中的碳化硅，所以必须加入碳化硅才能保证破方的质量，但是碳化硅的制取过程中耗能高污染高，另外，传统破方工艺考虑到传统的钢线切割能力，工作台速度通常控制在600-800um/min，回线率控制在90-95％左右，所以切割效率比较低。为提高切割速度，降低碳化硅制取的高耗能高污染，所以急需开发一整套新的破方工艺。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种破方方法，以实现提高单晶棒在破方工艺中的生产效率降低生产成本的目的。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种单晶棒破方方法，包括：

步骤1：向浆料缸中打入冷却液，将单晶棒安装在工作台的底座上；

步骤2：将金刚石钢线安装于所述工作台上的放线轴上以低张力值进行走线形成线网，设置好高线位及低线位后以高张力值进行走线；

步骤3：将固定好的单晶棒的底座装入机床，并调整所述底座的位置使四周边料切割厚度相等，下降工作台，底部线网差1mm接触硅锭表面最高点，并设置为零点；

步骤4：关闭所有滑动门，设置切割参数开始切割，所述切割参数包括：工作台速度、线速度、流量、张力和回线率。

优选地，在上述单晶棒破方方法中，所述将单晶棒安装在工作台的底座上具体为：用悬臂吊将选择好的单晶棒置于粘接区，夹具夹紧单晶棒放入粘接装置，用环氧树脂胶将单晶棒和所述底座粘牢。

优选地，在上述单晶棒破方方法中，所述单晶棒的数量为一根。

优选地，在上述单晶棒破方方法中，所述冷却液为纯水。

优选地，在上述单晶棒破方方法中，所述冷却液为二乙醇胺与纯水的混合液。

优选地，在上述单晶棒破方方法中，所述二乙醇胺质量分数为3-5％。

优选地，在上述单晶棒破方方法中，所述低张力值为10-20N。

优选地，在上述单晶棒破方方法中，所述高张力值为70-90N。

优选地，在上述单晶棒破方方法中，所述切割参数大小分别为：工作台速度2300-2700um/min，线速度13-15m/s，流量120-140kg/min，张力70-90N，回线率99.2-99.6％。

优选地，在上述单晶棒破方方法中，所述步骤4之后还包括：

步骤5：待切割完毕后剪断收放线轴上两侧钢线，抽出内夹线，升起工作台，将电磁平台移出切割室，用套筒将每根单晶棒取出清洗。

从上述技术方案可以看出，本发明中的实施例通过采用金刚石钢线进行切割，由于金刚石钢线上的金刚石硬度高，所以切割能力比携带砂浆钢线的切割能力要强，在相同的切割速度以及回线率中切割单晶棒时，采用本发明中的金刚石钢线的切割量要大，因此可以提高破方工艺的生产效率。由于本发明未采用砂浆，且切割用线少，所以单晶破方工艺中制造成本相应降低了。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的单晶棒破方方法的流程图；

图2为本发明实施例提供的单晶棒破方方法的另一流程图。

具体实施方式

相关名词解释：

金刚石钢线：在普通钢线上电镀一层镍，然后在镍上电镀上金刚石颗粒，属于固着型线切割耗材，与以往游离型比较，切割能力大大增强。

单晶破方：把一整根圆柱体单晶棒的边皮去掉，得到一根准方棒，每次单晶破方根数一般为16根。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供一种破方方法，以实现提高单晶棒在破方工艺中的生产效率降低生产成本的目的。

请参照附图1，本发明提供如下技术方案：

一种单晶棒破方方法，包括：

步骤S101：向浆料缸中打入冷却液，将单晶棒安装在工作台的底座上；