[发明专利]一种高抗折、低膨胀的致密锆英石溢流砖的制备方法

权利要求书

1.一种高抗折、低膨胀的致密锆英石溢流砖的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)选用ZrSiO₄≥98.5％的锆英砂为起始原料；

(2)酸洗上述锆英砂：以盐酸溶液浸泡，再进行水洗，晾干；

(3)煅烧酸洗后的锆英砂；

(4)将煅烧合格的锆英砂按下列重量配方比例在搅拌磨中研磨：

锆英砂99.0％-99.4％，TiO₂0.4％-0.8％，磷酸0.1％-0.2％；

(5)泥浆烘干，用螺旋烘干机烘干；

(6)粉体粉碎，并过30目振动筛；

(7)等静压成型；

(8)烧成；烧成制度为：

升温过程

室温→200℃    ≤5℃/h

200℃          保温5小时

200→800℃     ≤5℃/h

800℃          保温5小时

800→1585℃    ≤5℃/h

1585℃         保温12小时

降温过程

1585→400℃    ≤5℃/h

400℃→常温    ≤3℃/h。

2.根据权利要求1所述的一种高抗折、低膨胀的致密锆英石溢流砖的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)为在1400℃煅烧。

3.根据权利要求1所述的一种高抗折、低膨胀的致密锆英石溢流砖的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)研磨的细度要求为0.1～6μm≥95％。

4.根据权利要求1所述的一种高抗折、低膨胀的致密锆英石溢流砖的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)烘干温度200～250℃，烘干后原料的水分≤0.2％。

5.根据权利要求1所述的一种高抗折、低膨胀的致密锆英石溢流砖的制备方法，其特征在于，所述步骤(7)等静压成型的升压、卸压要求为：

升压：

卸压：

6.根据权利要求1所述的一种高抗折、低膨胀的致密锆英石溢流砖的制备方法，其特征在于，所述的大型致密锆英石溢流砖长度为3150～6000mm、宽度为1020～1600mm、厚度为260～1000mm。

7.根据权利要求6所述的一种高抗折、低膨胀的致密锆英石溢流砖的制备方法，其特征在于，所述的大型致密锆英石溢流砖的1200℃高温抗折强度≥60Mpa，1700℃×24h的重烧体积膨胀率≤10％。