[发明专利]用于离子迁移谱仪的离子门结构和离子迁移谱仪的操作方法

权利要求书

1.一种用于离子迁移谱仪的离子门结构，包括用于存储来自离子迁移谱仪的电离源的离子的存储电极，其特征在于：

所述存储电极包括锥形电极和等电位电极，所述等电位电极在离子存储阶段与所述锥形电极等电位，并且

其中所述锥形电极包括中心孔和分布在所述中心孔周围的多个分流气孔。

2.根据权利要求1所述的用于离子迁移谱仪的离子门结构，其中所述多个分流气孔均匀地分布在所述中心孔的周围。

3.根据权利要求2所述的用于离子迁移谱仪的离子门结构，其中所述分流气孔为圆孔、方孔或条形孔。

4.根据权利要求1所述的用于离子迁移谱仪的离子门结构，其中：

所述锥形电极具有大于0度且小于90度的锥角；

并且所述中心孔的孔径小于所述电离源的内径。

5.根据权利要求1所述的用于离子迁移谱仪的离子门结构，其中所述锥形电极和所述等电位电极之间的间距小于4mm。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的用于离子迁移谱仪的离子门结构，其中所述等电位电极为环状或网状电极。

7.一种包括前述权利要求6中的任一项所述的离子门结构的离子迁移谱仪的操作方法，包括离子存储步骤，用于将来自离子迁移谱仪的电离源的离子存储在所述存储电极中，其特征在于，

在所述离子存储步骤中，将待检样品分子引入到离子迁移谱仪中的载气经所述分流气孔分流后流经所述存储电极。

8.根据权利要求7所述的操作方法，其中在所述离子存储步骤中，所述锥形电极和所述等电位电极的电位相同。

9.根据权利要求8所述的操作方法，还包括用于导出存储在所述存储电极中的离子的离子导出步骤，并且在该离子导出步骤中，锥形电极和所述等电位电极的电位同时抬升或降低。

10.根据权利要求9所述的操作方法，其中电位抬升或降低的幅度小于1kV。