[发明专利]稳定的和可重复的等离子体离子注入的方法

权利要求书

1.一种衬底的等离子体离子注入方法，包括：

提供等离子体离子注入系统，所述等离子体离子注入系统包括：工艺室、用于在所述工艺室中产生等离子体的源、用于在所述工艺室中承托衬底的台板、与所述台板隔开的阳极和用于产生将离子从所述等离子体向着所述衬底中加速的注入脉冲的脉冲源；

将离子从所述等离子体向所述阳极加速，以引起来自所述阳极的二次电子的发射；

将所述二次电子从所述阳极向所述衬底加速；以及

根据注入工艺的所述衬底的等离子体离子注入。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述二次电子的能量在约500eV～20keV的范围内。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述阳极涂覆有电子发射性材料。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述阳极相对于所述等离子体负偏置。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述台板被接地。

6.如权利要求4所述的方法，其中所述台板被正偏置。

7.如权利要求4所述的方法，其中空心阴极围绕所述阳极和所述等离子体之间的等离子体放电区，且其中所述空心阴极被接地。

8.一种用于衬底的等离子体离子注入的方法，包括：

提供等离子体离子注入系统，所述等离子体离子注入系统包括：工艺室、用于在所述工艺室中产生等离子体的源、用于在所述工艺室中承托衬底的台板和用于产生将离子从所述等离子体向着所述衬底加速的注入脉冲的脉冲源；

根据注入工艺的所述衬底的等离子体离子注入；以及

在所述注入工艺期间调节离子能量，以至少部分地补偿被注入的离子和所述衬底之间的相互作用的非期望效应。

9.一种等离子体离子注入系统，包括：

工艺室；

用于在所述工艺室中产生等离子体的源；

用于在所述工艺室中承托衬底的台板；

与所述台板隔开的阳极；

用于产生将离子从所述等离子体向着所述衬底中加速的注入脉冲的脉冲源；和

电源，用于将离子从所述等离子体向着所述阳极加速以引起二次电子从所述阳极发射，并且用于将所述二次电子从所述阳极向所述衬底加速。

10.一种等离子体离子注入系统，包括：

工艺室；

用于在所述工艺室中产生等离子体的源；

用于在所述工艺室中承托衬底的台板；

用于产生将离子从所述等离子体向着所述衬底中加速的注入脉冲的脉冲源；和

注入控制器，其被配置用于根据注入工艺的所述衬底的等离子体离子注入，并且被配置用于在所述注入工艺期间调节离子能量以至少部分地补偿被注入的离子和所述衬底之间的相互作用的非期望效应。