[发明专利]同轴电缆屏蔽

说明书

背景技术

典型的同轴电缆包括射频(RF)屏蔽。一通用类型的屏蔽为在高频范围内衰减干扰电磁场的导电带。

首先参考图形1A，公开了现有技术的同轴电缆100。如图1A中公开的那样，同轴电缆100在两端与连接器150端接，现在参考图1B，现有技术的同轴电缆100通常包括由绝缘体104包围的中心导体102，带106纵向地缠绕在绝缘体周围，编织物108包围带106，并且护套110包围编织层108。

现在参考图1C，带106包围绝缘体104，并且通常用来限制高频电磁场126进入到中心导体102以及从中心导体102发出。带106为叠层带，包括第一铝层112、聚合物层114、第二铝层116以及聚合物粘结剂层118。带106还限定了第一边缘部分120，当带106围绕绝缘体104的纵向纵向地缠绕时，第一边缘部分120与第二边缘部分124重叠，结果形成与中心导体102平行延伸的重叠层。

继续参考图1C，并且也参考图1D，公开了现有技术的同轴电缆100的带106的普遍问题。特别地，虽然第一和第二铝层112和116通常在屏蔽频率在一个趋肤深度的频率之上的高频电磁场126方面是有效的，但是由于聚合物层114和聚合物粘结剂层118由绝缘体材料形成，所以层114和118在屏蔽电磁场126方面是无效的。结果，来自中心导体102的一些高频电磁场126，例如大于大约50MHz的电磁场，通过穿过聚合物粘结剂层118的重叠缝隙128而发出现有技术的同轴电缆100。

同样地，虽然第二铝层116通常在屏蔽频率在一个趋肤深度的频率之上的高频电磁场126方面是有效的，但是来自中心导体102的高频电磁场126的一小部分能穿透第二铝层116。这导致来自中心导体102的一些高频电磁场126，通过穿过聚合物层114的重叠缝隙130而发出现有技术的同轴电缆100。这些发出现有技术的同轴电缆100的高频电磁场126产生对周围电气设备(未示出)有害的干扰。一些来自周围电气设备(未示出)的高频电磁场也能穿过重叠缝隙128和130进入到现有技术的同轴电缆100，因此对通过中心导体102的数据信号产生有害的干扰。

现在参考图1E，公开了另一种现有技术的同轴电缆100′。同轴电缆100′除了包括螺旋形缠绕的带106′以外，与同轴电缆100相同。如图1E所公开的那样，带106′也定义了第一边缘部分，当带106′螺旋地缠绕在绝缘体104周围时，第一边缘部分120与第二边缘部分重叠，结果形成以螺旋结构围绕绝缘体104的重叠。如同带106，带106′允许一些高频电磁场通过穿过一个或多个重叠缝隙进入/发出同轴电缆100′。这些高频电磁场产生对周围电气设备(未示出)和穿过中心导体102的数据信号有害的干扰。

发明内容

通常，本发明的实施例涉及到同轴电缆屏蔽。一些实施例在制造同轴电缆期间减少或去掉在带的重叠层处的重叠缝隙。在同轴电缆中，重叠缝隙的这种减少或去除导致干扰性高频电磁场的屏蔽的均匀性增大。

在一个实施例中，同轴电缆包括中心导体、绝缘体、带以及护套。带限定了第一和第二边缘部分，每个边缘部分毗接内部部分。第一边缘部分的厚度小于内部部分的厚度。绝缘体包围中心导体。带围绕绝缘体缠绕以使得第一边缘部分与该第二边缘部分重叠。护套包围带。

在另一个实施例中，一种用于制造同轴电缆的方法包括多个步骤。电缆包括带，带限定了第一和第二边缘部分，每个边缘部分毗接内部部分。首先，第一边缘部分被压缩，以使得第一边缘部分的厚度小于内部部分的厚度。接着，带(其包围中心导体)纵向地缠绕在绝缘体周围，以使得第一边缘部分与第二边缘部分重叠。最后，用护套包围带。

在再一个实施例中，一种用于制造同轴电缆的方法包括多个步骤。首先，围绕中心导体挤压成绝缘体。其次，限定了第一和第二边缘部分、各个边缘部分毗接内部部分的带被加热并穿过一对滚筒以分别压缩第一和第二边缘部分，以使得第一和第二边缘部分的每一个的厚度都小于内部部分的厚度。然后，带纵向地缠绕在绝缘体周围，以使得第一边缘部分与该第二边缘部分彼此重叠。接着，用编织物包围带。最后，围绕编织物挤压成护套。

此发明内容用来以简单形式介绍概念的选择，这些概念将在下面详细说明中更进一步地描述。此发明内容不是用来确定请求保护主题的主要特征或基本特征，也不是用来帮助确定请求保护主题的范围。此外，应当理解，前述的一般说明及其后本发明的详细说明都是示例性的和说明性的，是用来提供要求保护的本发明的进一步的说明。

附图说明

根据下列结合附图给出的示例性实施例的详细说明，本发明的示例性实施例的各方面将变得显而易见，其中：