[发明专利]基于碳纳米管电晕放电的气敏传感器的制造方法

权利要求书

1.一种基于碳纳米管电晕放电的气敏传感器的制造方法，其特征在于采用如下步骤：

A)将经退火处理的高纯铝箔裁剪成合适尺寸，经电化学抛光、清洗后置于0.3M草酸溶液中，冰浴，电压40V阳极氧化1h；然后把氧化后的模板在磷酸和铬酸混合液中浸泡1h，再重复前面相同的氧化步骤；最后进行阶梯降压处理，获得所需的多孔阳极氧化铝模板，混合液中磷酸和铬酸的摩尔比为3∶1；

B)配置60g/L的硫酸钴与25g/L的硼酸的混合溶液，采用交流电对AAO模板进行电化学沉积钴纳米颗粒；电化学沉积完成后，利用气相化学沉积技术，通过高温下乙炔和氢气在AAO模板上化学沉积，最后氮气保护冷却，获得定向生长碳纳米管；

C)以碳纳米管电极作为阳极，铝板作为阴极，在碳纳米管电极上覆盖聚酰亚胺绝缘薄膜，切除碳纳米管工作面积上的薄膜，再用纯铝板覆盖在薄膜之上，制成基于碳纳米管电晕放电的气敏传感器。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：阶梯降压处理是从40V每10分钟降压2V，直到电压降至10V为止。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的气敏传感器的工作面积为0.15cm²。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：聚酰亚胺绝缘薄膜的厚度为120μm。

5.一种按照权利要求1的方法制成的碳纳米管电晕放电的气敏传感器，其特征在于：在多孔阳极氧化铝模板(1)上生长的定向碳纳米管(2)作为阳极，在碳纳米管(2)上覆盖聚酰亚胺绝缘薄膜(3)，切除碳纳米管工作面积上的聚酰亚胺绝缘薄膜，露出该部分的碳纳米管(2)，在聚酰亚胺绝缘薄膜(3)上覆盖铝板(4)作为阴极。