[发明专利]发光物质有效

专利信息
申请号: 201010185246.2 申请日: 2005-01-17
公开(公告)号: CN101967376A 公开(公告)日: 2011-02-09
发明(设计)人: 冈朵拉罗夫;瓦特涂斯;李贞勋 申请(专利权)人: 汉城半导体股份有限公司;罗夫冈朵拉;涂斯瓦特
主分类号: C09K11/75 分类号: C09K11/75;C09K11/67;C09K11/66;C09K11/64;C09K11/59;C09K11/73;C09K11/71;C09K11/70;H01L33/50
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 韩国首尔市*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 发光 物质
【权利要求书】:

1.一种发光物质,适用于紫外线与可见光激发,其特征在于该发光物质包括:

一种化合物,该化合物含有作为主晶格成分的铜离子及作为活化剂的至少稀土元素及其它发光离子的其中之一。

2.根据权利要求1所述的发光物质,其特征在于其中所述的化合物包括一种铝酸盐、一种硅酸盐、一种锑酸盐、一种锗酸盐、一种锗酸盐-硅酸盐、一种磷酸盐或前述化合物的任何组合。

3.根据权利要求1所述的发光物质,其特征在于其中所述的化合物包括一个具有分子式(1)的化合物:

a(M’O)·b(M”2O)·c(M”X)·dAl2O3·e(M’”O)·f(M””2O3)·g(M’””oOp)·h(M”””xOy)

                                         (1)

其中,

M’为Cu或Cu及Pb的组合;

M”为Li、Na、K、Rb、Cs、Au、Ag或前述材料的任意组合;

M’”为Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Mn或前述材料的任意组合;

M””为Sc、B、Ga、In或前述材料的任意组合;

M’””为Si、Ge、Ti、Zr、Mn、V、Nb、Ta、W、Mo或前述材料的任意组合;

M”””为Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或前述材料的任意组合;

X为F、Cl、Br、I或前述材料的任意组合;

0<a≤2;

0≤b≤2;

0≤c≤2;

0<d≤8;

0<e≤4;

0≤f≤3;

0≤g≤8;

0<h≤2;

1≤o≤2;

1≤p≤5;

1≤x≤2;以及

1≤y≤5。

4.根据权利要求1所述的发光物质,其特征在于其中所述的化合物包括一个具有分子式(2)的化合物:

a(M’O)·b(M”2O)·c(M”X)·4-a-b-c(M’”O)·7(Al2O3)·d(B2O3)·e(Ga2O3)·f(SiO2)·g(GeO2)·h(M””xOy)

                                          (2)

其中,

M’为Cu,或Pb及Cu的组合;

M”为Li、Na、K、Rb、Cs、Au、Ag或前述材料的任意组合;

M’”为Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Mn或前述材料的任意组合;

M””为Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、In、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或前述材料的任意组合;

X为F、Cl、Br、I或前述材料的任意组合;

0<a≤4;

0≤b≤2;

0≤c≤2;

0≤d≤1;

0≤e≤1;

0≤f≤1;

0≤g≤1;

0<h≤2;

1≤x≤2;以及

1≤y≤5。

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