[发明专利]用于隔离型开关电源的恒流控制电路有效
| 申请号: | 201010184302.0 | 申请日: | 2010-05-20 |
| 公开(公告)号: | CN102255507A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
| 发明(设计)人: | 陈湛 | 申请(专利权)人: | 美芯晟科技(北京)有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
| 代理公司: | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人: | 陈霁 |
| 地址: | 100191 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 隔离 开关电源 控制电路 | ||
1.一种用于隔离型开关电源的恒流控制电路,所述隔离型开关电源包括通过变压器耦合的初级部分和次级部分,所述初级部分提供输入电压,所述次级部分提供输出电压,其特征在于,所述初级部分包括:输入电压检测电路、关断时间控制电路和功率开关管,其中
所述输入电压检测电路用于检测输入电压;
所述关断时间控制电路用于根据所述输入电压相对于第一基准电压的变化对所述功率开关管的关断时间进行调整。
2.根据权利要求1所述的恒流控制电路,其特征在于,所述输入电压检测电路包括依次串联在一起的电阻(R4)、电阻(R5)和稳压器件。
3.根据权利要求1所述的恒流控制电路,其特征在于,还包括:输出电压的反馈电路,用于提供输出电压的反馈电压作为所述第一基准电压。
4.根据权利要求1所述的恒流控制电路,其特征在于,所述关断时间控制电路包括晶体管、电容和固定关断时间模式芯片,所述输入电压作用在所述晶体管的基极上,所述第一基准电压作用在晶体管的发射极和集电极中的一个上,并且提供电流,所述电流的至少一部分作用在所述电容上,所述电流的至少另一部分流经晶体管的发射极和集电极,所述固定关断时间模式芯片基于所述电容的电压关断所述功率开关管。
5.根据权利要求4所述的恒流控制电路,其特征在于,所述关断时间控制电路包括依次串联在一起的电阻(R3)、晶体管(Q1)和电容(Coff),以及固定关断时间模式芯片,其中,所述晶体管(Q1)的基极与所述输入电压检测电路相连接,所述电阻(R3)连接在所述晶体管(Q1)的发射极与所述固定关断时间模式芯片的Vdd pin管脚之间,所述晶体管(Q1)的集电极分别与所述固定关断时间模式芯片的Toffpin管脚和所述电容(Coff)相连接。
6.根据权利要求4所述的恒流控制电路,其特征在于,所述关断时间控制电路包括电阻(R3)、晶体管(Q1)和电容(Coff),以及固定关断时间模式芯片,其中,所述晶体管(Q1)的基极与所述输入电压检测电路相连接,所述电阻(R3)连接在所述晶体管(Q1)的集电极与所述固定关断时间模式芯片的Vdd pin管脚之间,所述电容(Coff)连接在所述晶体管(Q1)的集电极和发射级之间,所述晶体管(Q1)的集电极与所述固定关断时间模式芯片的Toff pin管脚相连接。
7.根据权利要求2所述的恒流控制电路,其特征在于,所述稳压器件为稳压管或低压差线性稳压管。
8.根据权利要求4所述的恒流控制电路,其特征在于,所述晶体管为以下任一种:
双极型晶体管和场效应晶体管。
9.一种用于隔离型开关电源的恒流控制电路,所述隔离型开关电源包括通过变压器耦合的初级部分和次级部分,所述初级部分提供输入电压,所述次级部分提供输出电压,其特征在于,所述初级部分包括:输出电压反馈电路、关断时间控制电路和功率开关管,其中
所述输出电压反馈电路用于提供输出电压的反馈电压;
所述关断时间控制电路用于根据所述反馈电压相对于第二基准电压的变化对所述功率开关管的关断时间进行调整。
10.根据权利要求9所述的恒流控制电路,其特征在于,所述输出电压反馈电路包括串联的变压器和二极管。
11.根据权利要求9所述的恒流控制电路,其特征在于,所述关断时间控制电路包括晶体管、电容和固定关断时间模式芯片,其中
所述反馈电压作用在所述晶体管的发射极和集电极之一上,并且提供电流,所述电流的至少一部分作用在电容上,所述电流的至少另一部分流经所述晶体管的发射极和集电极,所述固定关断时间模式芯片基于所述电容的电压关断所述功率开关管。
12.根据权利要求11所述的恒流控制电路,其特征在于,所述关断时间控制电路包括依次串联在一起的电阻(R3)、晶体管(Q1)和电容(Coff),以及固定关断时间模式芯片,其中,所述晶体管(Q1)的基极与所述输入电压检测电路相连接,所述电阻(R3)连接在所述晶体管(Q1)的发射极与所述固定关断时间模式芯片的Vdd pin管脚之间,所述晶体管(Q1)的集电极分别与所述固定关断时间模式芯片的Toff pin管脚和所述电容(Coff)相连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美芯晟科技(北京)有限公司,未经美芯晟科技(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010184302.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





