[发明专利]基底层、研磨垫及研磨方法

权利要求书

1.一种研磨垫，其特征在于，包括：

一研磨层；以及

一基底层，配置于所述研磨层下方，所述基底层包括：

一多孔性内层，具有一上表面及一下表面；以及

至少一表层，其孔洞比不大于0.3％，且配置于所述多孔性内层的

所述上表面及所述下表面的至少一个上。

2.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述表层为一非多孔性表层，且其孔洞比为0％。

3.根据权利要求2所述的研磨垫，其特征在于，所述多孔性内层与所述非多孔性表层是由相同材料、一体成型所制成。

4.根据权利要求2所述的研磨垫，其特征在于，所述非多孔性表层的厚度大于5μm。

5.根据权利要求2所述的研磨垫，其特征在于，所述非多孔性表层的厚度为8μm～35μm。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的研磨垫，其特征在于，所述非多孔性表层的表面粗糙度小于15μm。

7.根据权利要求6所述的研磨垫，其特征在于，所述非多孔性表层的表面粗糙度为3μm～10μm。

8.根据权利要求2至5中任一项所述的研磨垫，其特征在于，所述多孔性内层中的孔洞的孔径分布为10μm～400μm。

9.根据权利要求8所述的研磨垫，其特征在于，所述多孔性内层中的孔洞的平均孔径为100μm～250μm。

10.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述基底层是由低密度聚乙烯、或低密度聚乙烯与乙烯醋酸乙烯酯的混合物所制成。

11.根据权利要求2至5中任一项所述的研磨垫，其特征在于，还包括一粘着层，配置于所述研磨层与所述基底层之间、或是所述基底层与一研磨机台之间的至少一个。

12.根据权利要求11所述的研磨垫，其特征在于，所述基底层与所述粘着层粘着后经抗剪力维持时间测试，在对所述非多孔性表层施加一剪力时，所述基底层与所述粘着层间具有一第一维持时间，在对所述多孔性内层施加所述剪力时，所述基底层与所述粘着层间具有一第二维持时间，所述第一维持时间较所述第二维持时间多至少20％。

13.根据权利要求2至5中任一项所述的研磨垫，其特征在于，所述非多孔性表层包括一经等离子体处理的非多孔性表层。

14.一种基底层，用于衬垫一研磨垫的一研磨层，其特征在于，包括：

一多孔性内层，具有一上表面及一下表面；以及

一表层，其孔洞比不大于0.3％，且配置于所述多孔性内层的所述上表面及下表面的至少一个上。

15.根据权利要求14所述的基底层，其特征在于，所述表层为一非多孔性表层，且其孔洞比为0％。

16.根据权利要求15所述的基底层，其特征在于，所述多孔性内层与所述非多孔性表层是由相同材料、一体成型所制成。

17.根据权利要求15所述的基底层，其特征在于，所述非多孔性表层的厚度大于5μm。

18.根据权利要求17所述的基底层，其特征在于，所述非多孔性表层的厚度为8μm～35μm。

19.根据权利要求15至18中任一项所述的基底层，其特征在于，所述非多孔性表层的表面粗糙度小于15μm。

20.根据权利要求19所述的基底层，其特征在于，所述非多孔性表层的表面粗糙度为3μm～10μm。

21.根据权利要求15至18中任一项所述的基底层，其特征在于，所述多孔性内层中的孔洞的孔径分布为10μm～400μm。

22.根据权利要求21所述的基底层，其特征在于，所述多孔性内层中的孔洞的平均孔径为100μm～250μm。

23.根据权利要求14所述的基底层，其特征在于，所述基底层是由低密度聚乙烯、或是低密度聚乙烯与乙烯醋酸乙烯酯的混合物所制成。

24.根据权利要求15至18中任一项所述的基底层，其特征在于，所述非多孔性表层包括一经等离子体处理的非多孔性表层。