[发明专利]一种完全与标准CMOS工艺兼容的温度补偿电流源

权利要求书

1.一种完全与标准CMOS工艺兼容的温度补偿电流源，其特征在于由PMOS管(4、5、6)、NMOS管(1、2、3、7)、补偿电阻(8)、运算放大器(9)经电路连接构成；其中，运算放大器具有高增益，保证运算放大器的输入端所连接的节点电压相同，PMOS管(4、5、6)、NMOS管(1、2、3、7)、补偿电阻(8)组成电流源的主体电路，电阻、MOS管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现电流源的温度补偿。

2.根据权利要求1所述的完全与标准CMOS工艺兼容的温度补偿电流源，其特征在于所述的主体电路由PMOS管(4、5、6)、NMOS管(1、2、3、7)经电路连接构成；其中，PMOS管(4、5、6)的源极接电源，栅极与放大器的输出端(28)相连接，补偿电阻(8)的一端与PMOS管(4)的漏极相连，另一端与连接成二极管形式的NMOS管(1)的栅极相连，NMOS管(1、2、3)的源极均接地，NMOS管(2)的漏极与PMOS管(5)的漏极以及NMOS管(7)的栅极连接在一起，NMOS管(7)的漏极与PMOS管(6)的漏极连接，NMOS管(7)的源极与连接成二极管形式的NMOS管(3)相连。

3.根据权利要求2所述的完全与标准CMOS工艺兼容的温度补偿电流源，其特征在于所述的电流源主体电路中，所有MOS管均工作在饱和区，其中，NMOS管(2、3)的尺寸相同，PMOS管(4、5、6)的尺寸相同，补偿电阻(8)的电阻值与NMOS管(3)的跨导在同一量级、并在版图设计中保证NMOS管(1、2)的阈值电压相差较小；NMOS管(1)的尺寸较大。

4.根据权利要求1所述的完全与CMOS工艺兼容的温度补偿电流源，其特征在于所述的运算放大器电路(9)由PMOS管(20～25)、NMOS管(12～19)、电阻(27)、补偿电容(26)经电路连接构成；其中，PMOS管(20、21)连接成电流镜的形式，NMOS管(12～15)连接成共源共栅电流镜的模式，电阻(27)连接在NMOS管(13)的源极与地之间，它们共同组成放大器的偏置电路；PMOS管(22)镜像PMOS管(21)的电流，为运放的第一级提供尾电流源，PMOS管(24、25)构成差分输入对形式，NMOS管(16、17)为差分输入管的电流镜负载；NMOS管(19)作为第二级运放的输入管，它的栅极与第一级运放的输出端(29)相接，PMOS管(23)作为NMOS管(19)的负载，工作在线性区的NMOS管(18)的栅极与PMOS管(21)的漏端相接，NMOS管(18)与电容(26)串联在第一级运放的输出端与第二级运放的输出端之间，形成动态的密勒补偿，运放的输出端(28)与PMOS管(4～6)的栅极连接在一起。