[发明专利]共模反馈电路有效

专利信息
申请号: 201010170396.6 申请日: 2010-05-12
公开(公告)号: CN102244501A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 范方平 申请(专利权)人: 四川和芯微电子股份有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610041 四川省*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 反馈 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种反馈电路,尤指一种共模反馈电路。

背景技术

共模反馈电路通常用来稳定全差分模拟电路的共模电压。两个差分输出电压的平均电压与共模参考电压相比较产生的差分电流反馈调整共模电压。

请参阅图1,图1为现有的共模反馈电路。其包括一电源端VDD、一接地端GND、两输入端Vin+与Vin-、两输出端Vout1与Vout2、两电阻R、五个场效应管M11、M12、M13、M14、M15及一运算放大器。

该电路通过两个电阻R检测一输出共模电压Vcm,并将其与一输入的参考电压Vref通过该运算放大器进行比较,强制Vcm等于Vref,该运算放大器输出反馈至该电流偏置M13,调节该M13的电流等于该M11及M12的电流之和,从而实现共模反馈。

使用该电路实现共模反馈所占的硅片面积很大,不利于集成,另外将使输出的负载增大降低了增益。

发明内容

鉴于以上内容,有必要提供一种结构简单的共模反馈电路。

一种共模反馈电路,包括一放大电路、一连接所述放大电路的偏置电路及一连接所述放大电路与所述偏置电路的反馈回路,所述反馈回路包括一第一场效应管M1、连接所述第一场效应管M1的一第八场效应管M1B、一第十场效应管M2B及一连接所述第八场效应管M1B及所述第十场效应管M2B的第十一场效应管MFB,所述共模反馈电路的一共模电压值通过所述第十一场效应管MFB进行调节。

相对现有技术,本发明共模反馈电路结构简单,无需外围反馈电路,且无需输入的参考电压即可实现共模反馈。

附图说明

图1为传统的共模反馈电路的电路图。

图2为本发明共模反馈电路较佳实施方式的电路图。

具体实施方式

请参阅图2,本发明共模反馈电路较佳实施方式包括一第一场效应管M1、第二场效应管M2、第三场效应管M3、第四场效应管M4、第五场效应管M5、第六场效应管M6、第七场效应管M1A、第八场效应管M1B、第九场效应管M2A、第十场效应管M2B、第十一场效应管MFB,两输入端Vin+与Vin-及两输出端OUTA与OUTB。其中,第一场效应管M1、第四场效应管M4、第六场效应管M6、第七场效应管M1A及第九场效应管M2A构成一放大电路;第一场效应管M1、第二场效应管M2、第三场效应管M3、第四场效应管M4、第五场效应管M5及第六场效应管M6构成一偏置电路,用于设置工作环境;第一场效应管M1、第八场效应管M1B、第十场效应管M2B及第十一场效应管MFB构成一反馈回路。

该电路的具体连接关系如下:第一场效应管M1的栅极与第二场效应管M2的漏极相连,第一场效应管M1的源极与第二场效应管M2的源极相连,并共同连接至一接地端GND,第一场效应管M1的漏极与第八场效应管M1B、第十场效应管M2B、第七场效应管M1A及第九场效应管M2A的源级相连,第八场效应管M1B、第十场效应管M2B的栅极分别连接两输入端Vin+与Vin-,第七场效应管M1A、第九场效应管M2A的栅极分别连接两输入端Vin+与Vin-,第八场效应管M1B、第十场效应管M2B的漏极与第五场效应管M5的漏极相连,第七场效应管M1A、第九场效应管M2A的漏级分别连接两输出端OUTA与OUTB,第十一场效应管MFB的栅极与第五场效应管M5的漏极相连,第十一场效应管MFB的源级与第二场效应管M2的漏极相连,第十一场效应管MFB的漏极与第三场效应管M3的漏极相连,第三场效应管M3的源级与第四场效应管M4、第五场效应管M5、第六场效应管M6的源级相连,并共同连接至一电源端VDD,第三场效应管M3的栅极与第四场效应管M4、第五场效应管M5、第六场效应管M6的栅极相连,第四场效应管M4的漏极连接输出端OUTA,第六场效应管M6的漏极连接输出端OUTB,第二场效应管M2的栅极输入一偏置电压VBIAS。

该电路中的场效应管的类型如图中所示:第一场效应管M1、第二场效应管M2、第七场效应管M1A、第八场效应管M1B、第九场效应管M2A、第十场效应管M2B、第十一场效应管MFB为N型场效应管(NMOS),第三场效应管M3、第四场效应管M4、第五场效应管M5、第六场效应管M6为P型场效应管(PMOS)。其中,N型场效应管(NMOS)可更换为P型场效应管(PMOS),P型场效应管(PMOS)可更换为N型场效应管(NMOS)进行工作。且这些场效应管可根据需要变更为能够实现同样功能的开关元件或电路。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川和芯微电子股份有限公司,未经四川和芯微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010170396.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top