[发明专利]阈值电压产生电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种电压产生电路，尤指一种能够产生阈值电压的阈值电压产生电路。

背景技术

通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的终点对应的输入电压称为阈值电压，也称为开启电压。阈值电压通常跟随工艺和温度的变化而不同，在现有技术中，往往通过查找数据库来得到阈值电压，而很少有一种能够直接产生比较精确的阈值电压的电路。

发明内容

鉴于以上内容，有必要提供一种能够产生比较精确的阈值电压的阈值电压产生电路。

一种阈值电压产生电路，包括一主控制电路及一与所述主控制电路相连的偏置电路，所述主控制电路包括一第一开关元件、一与所述第一开关元件相连的第二开关元件、一与所述第二开关元件相连的第三开关元件及一与所述第三开关元件相连的第一运算放大器，所述第一运算放大器的一输出端输出一阈值电压。

相对现有技术，本发明阈值电压产生电路可以跟随工艺和温度的变化产生比较精确的阈值电压。

附图说明

图1为本发明阈值电压产生电路较佳实施方式的电路图。

具体实施方式

请参阅图1，本发明阈值电压产生电路较佳实施方式包括一主控制电路及一与该主控制电路相连的偏置电路。

该主控制电路包括一第一开关元件、一第二开关元件、一第三开关元件、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5及一第一运算放大器omp1。该偏置电路包括一第四开关元件、一第五开关元件、一第六开关元件、一第六电阻RB及一第二运算放大器omp2。

在本实施方式中，该第一开关元件为一第一场效应管M1，该第二开关元件为一第二场效应管M2，该第三开关元件为一第三场效应管M3，该第四开关元件为一第四场效应管M4，该第五开关元件为一第五场效应管M5，该第六开关元件为一第六场效应管M6。且第一场效应管M1、第二场效应管M2及第三场效应管M3为N型场效应管(NMOS)，第四场效应管M4、第五场效应管M5及第六场效应管M6为P型场效应管(PMOS)。在其他实施方式中，开关元件可根据需要变更为能够实现同样功能的其它开关元件或电路。

该阈值电压产生电路的具体连接关系如下：该第一场效应管M1的栅极与其漏极相连，其漏极连接第二运算放大器omp2的一反相输入端，其源级连接该第二场效应管的源级，该第二场效应管的栅极与其漏极相连，该第三场效应管的栅极与其漏极相连，其源级连接该第二场效应管的源级，该第三场效应管的漏极通过第三电阻R3连接第一运算放大器omp1的一正相输入端，该第三场效应管的源级通过第四电阻R4连接第一运算放大器omp1的正相输入端，第一运算放大器omp1的正相输入端通过第二电阻R2及第六电阻RB与第二运算放大器omp2的一反相输入端相连，第一运算放大器omp1的一反相输入端通过第一电阻R1连接第二运算放大器omp2的反相输入端，并通过第五电阻R5连接第一运算放大器omp1的一输出端VOUT。该第四场效应管M4的栅极连接该第五场效应管M5的栅极，其漏极连接第二运算放大器omp2的正相输入端，其源级连接该第五场效应管M5的源极，该第五场效应管M5的栅极连接第二运算放大器omp2的一输出端，其漏极连接第二运算放大器omp2的反相输入端，该第六场效应管M6的栅极连接该第五场效应管M5的栅极，其源级连接该第五场效应管M5的源级，其漏极连接该第三场效应管M3的漏极。该第一场效应管M1、该第二场效应管M2、该第三场效应管M3的源级共同连接一接地端GND，该第四场效应管M4、该第五场效应管M5、该第六场效应管M6的源级共同连接一电源端VDD。

该阈值电压产生电路可以跟随工艺和温度的变化产生一比较精确的阈值电压，具体分析如下：

V1＝V4＝VTH+sqrt(I1*K1)，

V2＝VTH+sqrt(I2*K2)，

V3＝VTH+sqrt(I3*K3)，

其中，K1＝2/(μnCox(W/L)1)，

      K2＝2/(μnCox(W/L)2)，

      K3＝2/(μnCox(W/L)3)，

VTH代表NMOS的阈值电压，I1代表流过第一场效应管M1的电流，I2代表流过第二场效应管M2的电流，I3代表流过第三场效应管M3的电流，μn代表电子迁移率，Cox代表栅氧化层单位面积电容，(W/L)1代表第一场效应管M1的宽长比，(W/L)2代表第二场效应管M2的宽长比，(W/L)3代表第三场效应管M3的宽长比。