[发明专利]使用电感相同布局的电感布局无效
申请号: | 201010161301.4 | 申请日: | 2005-02-28 |
公开(公告)号: | CN101860336A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 马诺里斯·特洛维蒂 | 申请(专利权)人: | 美商亚瑟罗斯通讯股份有限公司 |
主分类号: | H03H1/00 | 分类号: | H03H1/00;H01F41/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 电感 相同 布局 | ||
本申请是申请人于2005年2月28日提交的、申请号为“200510052616.4”的、发明名称为“使用电感相同布局的电感布局”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明有关一种电感布局,特别地是有关一种利用电感相同布局以及其余电路的镜像对称的电感布局。
背景技术
电感可以使用于许多型态的电路中,举例而言,在无线射频(RF)电路中,电感可以被使用于电压控制振荡器(voltage-controlled oscillators,VCOs),低噪声放大器,以及被动组件滤波器中,一般而言,一电感是一将能量储存于一磁场中的被动电子装置。
一电感物理上是是利用一或多圈的金属线所加以形成,并具有两个终端(terminals)。图1是举例说明一示范性螺旋电感100,包括一外部终端101以及一内部终端102的一布局,电感100形成为一正方形的样式,其可以对一既定的表面积提供更多的电感,并且可以轻易地利用标准集成电路技术而加以制造,而在一种技术中,电感100可以利用至少二金属层而被建立在一基板(例如,硅)之上,尤其是,一第一金属层可以被用以形成螺旋线圈103,反之,一第二金属层则是可以被用以形成一下方穿越的接触(underpass contact)104,同时,该下方穿越的接触104可以利用一通孔(Via)(未显示)而与该内部终端102相连接。
为了达成加强的线性、动态范围、以及输出功率,RF电路越来越多地会使用差动技术。在一差动电路中,具有相同强度以及相反相位的信号可利用两组构件来进行传输以及处理,尤其重要的是,两组构件皆会理想地彼此对称,而此对称则是可以被用来抑制共模耦接(common-mode coupling),否则,其可以造成干扰以及令人不快地影响信号处理。
对一差动电路的一布局而言,通常会使用镜像对称,因为其对在该差动电路的两侧上提供相同的寄生布线电容(parasitic wiring capacitances)方面很有效,借此可以简化考虑这些电容的计算,举例而言,图2是举例说明一示范性带通滤波器200的一示意图,其包括可以利用镜像对称(例如,利用电感布局201’以及201″)而加以形成的装置,例如,电感201以及电容202与203。
然而,在一包括电感的差动电路中,电流会以相反的方向(箭头206以及207所指示的方向)流动,并且,利用已知的″右手定则″,该电感利用布局201’所产生的磁场将会进入包括该电感的平面,由符号208所显示,但不幸的是该利用布局201”的磁场也将会进入包括该电感平面,由符号209所显示(亦即,该等磁场将会处于相同的方向),所以,位在此电感对附近的一敏感电路就会不利地受到此结合的磁场的影响。
相反地,若是使用相同布局(举例而言,若是一差动电路的两个电感皆都利用布局201’而加以实例化),则所传输的净远场(net far field)将会由于一个电感所产生的磁场会有效地消除另一个所产生的磁场而为零,因此,敏感的电路可以被置于相同布局中的电感对的邻近区域中而不会有实质上的降级。
相似地,当使用电感相同布局时,一磁场会耦接成为一共模信号,举例而言,图3举例说明可以利用相同布局(例如,利用电感布局201’)而加以形成的带通滤波器200的一示意图,一磁场将会因此而在此电感对中产生一共模电流,并且,具有优势的是,可以因此而于实质上消除该已耦接磁场的效应。
相反地,若是在一差动电路中的电感是利用镜像对称(例如,利用电感布局201’以及201”)而加以实例化时,则一磁场将会耦接成为一差动信号,因此,来自一产生一磁场的附近电路的有害干扰将可能会导致此电感架构。
不幸的是,使用相同布局会造成在该差动电路的两侧间的寄生布线电容的平衡,因此,即出现了对能提供镜像以及相同布局两者的优点的技术以及布局的需求。
发明内容
一差动电路布局可以较具优势地为了电感而使用相同布局,以及为了电路的其余部分而使用镜像对称,互连区段可以被用以将该等电感的终端连接至在该电路中的其它构件,且这些互连区段会有利于自该等电感的该相同布局至该等其它构件的该镜像对称的过渡。
而为了提供此过渡,一电感的该等终端以及其所相关的互连区段会被形成在该电感的一中心轴之上,在一实施例中,被连接至该电感的内部终端的该互连区段以及被连接至外部终端的该互连区段会被形成于该电感的相对侧,而在一另一实施例中,这些互连区段则会被形成在该电感的同一侧之上。
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