[发明专利]CMOS图像传感器有效

专利信息
申请号: 201010151574.0 申请日: 2010-04-15
公开(公告)号: CN101815179A 公开(公告)日: 2010-08-25
发明(设计)人: 任张强 申请(专利权)人: 昆山锐芯微电子有限公司
主分类号: H04N5/335 分类号: H04N5/335
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 215300 江苏省昆山市开发*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: cmos 图像传感器
【权利要求书】:

1.一种CMOS图像传感器,包括像素单元,所述像素单元包括复位晶体管、 选择晶体管和放大晶体管,所述复位晶体管包括源极,所述源极作为像素 单元的感应节点,其特征在于,还包括:

复位单元,所述复位单元在输入的第一信号为高电位时,将所述感应节 点电位升至高电位,在所述第一信号由高电位转换为低电位时,将复位晶体 管的沟道电阻增大;

所述复位单元包括变阻单元和控制单元;其中,

所述变阻单元用于提供阻值可变的电阻;

所述控制单元用于在输入的第一信号为高电位时,使感应节点电位升至 高电位,在所述第一信号由高电位转换为低电位时,将变阻单元提供的电阻 与复位晶体管的栅极连接组成放电通路;

所述控制单元包括电压转换电路,所述电压转换电路包括输入端,用于 将所述第一信号转换为第三信号,并且所述第三信号的高电位大于第一信号 的高电位,第三信号的脉宽与第一信号相同;

所述控制单元还包括第一反相器,用于对第三信号进行反相转换;

所述控制单元还包括第一晶体管,所述第一晶体管用于在输入的第一信 号为高电位时使感应节点升至高电位,所述第一晶体管的栅极接反相器输出 端,漏极接像素电源,源极接复位晶体管的栅极;

所述控制单元还包括第二晶体管,所述第二晶体管用于输入的第一信号 由高电位转为低电位时,控制变阻单元工作,所述第二晶体管的栅极输入第 三信号,源极接地,漏极与所述变阻单元输入端相连。

2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述CMOS图像 传感器还包括反馈单元,用于稳定所述感应节点的电位,所述反馈单元包 括第一输入端、第二输入端和第一输出端,所述第一输入端电连接至选择 晶体管的源极,所述第二输入端输入参考电压,第一输出端电连接至所述 复位晶体管的漏极。

3.如权利要求2所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述反馈单元为负 反馈运算放大器。

4.如权利要求2所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述选择晶体管的 栅极输入第二信号,所述第二信号的脉宽大于第一信号。

5.如权利要求1所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述变阻单元包括 多个电阻及电阻控制单元,所述电阻控制单元用于控制变阻单元工作时输 出的电阻值。

6.如权利要求5所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述电阻控制单元 包括译码器,所述译码器接收外部数字脉冲信号,输出选择信号;

所述电阻控制单元还包括多个晶体管,所述多个晶体管与多个电阻相对应 电连接,所述多个晶体管的栅极接收所述选择信号,源极电连接至所述控 制单元的第二晶体管的漏极,漏极电连接相对应的电阻一端,所述电阻另 一端与复位晶体管的栅极相连。

7.如权利要求1所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述第一晶体管为 PMOS晶体管,所述第二晶体管为NMOS晶体管。

8.如权利要求2所述的CMOS图像传感器,其特征在于,像素单元为4T型 和5T型时,所述CMOS图像传感器还包括:

第一开关,所述放大晶体管和复位晶体管的漏极通过第一开关与反馈单 元的输出端电连接,所述第一开关接收控制信号,在CMOS图像传感器工作 于非相关双采样模式,第一开关接通;

第二开关,所述放大晶体管和复位晶体管的漏极通过第二开关与像素电 源相连,所述第二开关接收控制信号,在CMOS图像传感器工作于相关双采 样模式时,第二开关接通。

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