[发明专利]窄脉宽低占空比激光二极管阵列结构无效
| 申请号： | 201010147564.X | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102222857A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王晓薇;王颖;杜阳光;赵凤岐 | 申请（专利权）人： | 海特光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 窄脉宽低占空 激光二极管 阵列 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种窄脉宽低占空比激光二极管阵列结构，其特征在于：至少两个激光二极管管芯上下叠层堆叠，共纵轴设置，将两个管芯以电极串连方式直接固接在一起，构成阵列结构。
2.如权利要求1所述的激光二极管阵列结构，其特征在于：所述直接固接在一起，是将上下两层直接烧结在一起。
3.如权利要求1所述的激光二极管阵列结构，其特征在于：所述激光二极管管芯有x个，x≥1，x是整数；上下叠层有y层，y≥2，y是整数；
在同一水平面上，x个激光二极管管芯并联构成线列阵作为一层，依据需要上下叠置y层，上层管芯与相邻下层管芯共纵轴设置，上下相邻层的管芯以电极串连方式直接烧结在一起，构成阵列结构。
4.如权利要求1或3所述的激光二极管阵列结构，其特征在于：所述激光二极管管芯的波导结构，是窄波导结构，或宽波导结构。
5.如权利要求1或3所述的激光二极管阵列结构，其特征在于：所述激光二极管管芯的结构，是条形结构，或脊形波导结构。
6.如权利要求5所述的激光二极管阵列结构，其特征在于：所述激光二极管管芯的结构，在管芯的p面淀积Ti/Pt/Au作为阵列器件的正极，在n面淀积Au/Ge/Ni作为阵列器件的负极。
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