[发明专利]合成气制低碳烃的方法有效
| 申请号： | 201010147128.2 | 申请日： | 2010-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102219628A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 刘苏;王仰东;宋庆英;刘颖 | 申请（专利权）人： | 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院 |
| 主分类号： | C07C1/04 | 分类号： | C07C1/04;C07C9/04;C07C11/04;C07C11/06;B01J23/46;B01J21/08 |
| 代理公司： | 上海东方易知识产权事务所 31121 | 代理人： | 沈原 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 合成气 制低碳烃 方法 | ||
1.一种合成气制低碳烃类的方法，以合成气为原料，在反应温度200～400℃，反应压力1.0～12.0Mpa，体积空速1000～30000h-1，以体积比计CO∶H2＝1∶0.5～4条件下，原料在催化剂表面反应，生成低碳烃类，其中所用的催化剂以重量份数计，含有以下组分：
a)0.1～15份Rh的金属或其氧化物；
b)85～99.9份的载体二氧化硅，其中二氧化硅的纯度为至少99.5％。
2.根据权利要求1所述的合成气制低碳烃的方法，其特征在于，以重量份数计，Rh的金属或其氧化物用量为0.5～10份。
3.根据权利要求1所述的合成气制低碳烃的方法，其特征在于，以重量份数计，载体二氧化硅的用量为90～99.5份。
4.根据权利要求1所述的合成气制低碳烃的方法，其特征在于，以重量份数计，载体二氧化硅的纯度为99.8～100％。
5.根据权利要求1所述的合成气制低碳烃的方法，其特征在于，原料合成气中CO∶H2的体积比为1∶1～2。
6.根据权利要求1所述的合成气制低碳烃的方法，其特征在于，反应温度为250～350℃。
7.根据权利要求1所述的合成气制低碳烃的方法，其特征在于，反应压力为2.0～10.0Mp，反应体积空速为2000～25000h-1。
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