[发明专利]一种线性调节斜坡补偿电压斜率的系统

权利要求书

1.一种线性调节斜坡补偿电压斜率的系统，其特征在于包括占空比检测电路、电 压电流转换电路、斜坡产生电路和基准电流源，所述的占空比检测电路将输入的开关信 号转换为与所述的开关信号成线性关系的电压信号，并将所述的电压信号传输给所述的 电压电流转换电路，所述的电压电流转换电路将所述的电压信号线性的转换成第一电流 信号并输出，所述的第一电流信号与所述的基准电流源相叠加形成输入给所述的斜坡产 生电路的第二电流信号，所述的斜坡产生电路输出斜坡补偿电压，所述的斜坡补偿电压 与所述的开关信号的占空比成线性关系；所述的斜坡产生电路主要由第二电流镜、第三 电流镜、第十PMOS晶体管、第十一NMOS晶体管及第二电容组成，所述的第二电流 镜包括第六NMOS晶体管和第七NMOS晶体管，所述的第三电流镜包括第八PMOS晶 体管和第九PMOS晶体管，所述的第六NMOS晶体管的漏极接入所述的第一电流信号， 所述的第六NMOS晶体管的漏极分别与所述的基准电流源的负极端、所述的第六NMOS 晶体管的栅极及所述的第七NMOS晶体管的栅极相连接，所述的第六NMOS晶体管的 源极和所述的第七NMOS晶体管的源极分别接地，所述的第七NMOS晶体管的漏极分 别与所述的第八PMOS晶体管的源极、所述的第八PMOS晶体管的栅极及所述的第九 PMOS晶体管的栅极相连接，所述的基准电流源的正极端、所述的第八PMOS晶体管的 漏极和所述的第九PMOS晶体管的漏极分别接电源，所述的第九PMOS晶体管的源极 与所述的第十PMOS晶体管的漏极相连接，所述的第十PMOS晶体管的栅极和所述的 第十一NMOS晶体管的栅极分别接入用于控制所述的第二电容的充电时间的时钟信号， 所述的第十PMOS晶体管的源极与所述的第十一NMOS晶体管的漏极相连接，所述的 第十一NMOS晶体管的源极接地，所述的第二电容连接于所述的第十PMOS晶体管的 源极与所述的第十一NMOS晶体管的漏极的公共连接端与所述的第十一NMOS晶体管 的源极之间，所述的第十PMOS晶体管的源极、所述的第十一NMOS晶体管的漏极及 所述的第二电容的公共连接端输出所述的斜坡补偿电压。

2.根据权利要求1所述的一种线性调节斜坡补偿电压斜率的系统，其特征在于所 述的占空比检测电路主要由反相器、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一电 阻和第一电容组成，所述的反相器的输入端和所述的第一NMOS晶体管的栅极分别接 入所述的开关信号，所述的反相器的输出端与所述的第二NMOS晶体管的栅极相连接， 所述的第一NMOS晶体管的漏极接入基准电压，所述的第一NMOS晶体管的源极与所 述的第一电阻的第一端相连接，所述的第二NMOS晶体管的漏极与所述的第一电阻的 第一端相连接，所述的第二NMOS晶体管的源极接地，所述的第一电容连接于所述的 第一电阻的第二端与所述的第二NMOS晶体管的源极之间，所述的第一电阻与所述的 第一电容的公共连接端输出与所述的开关信号成线性关系的电压信号。

3.根据权利要求1或2所述的一种线性调节斜坡补偿电压斜率的系统，其特征在 于所述的电压电流转换电路主要由低压差线性稳压器、第二电阻和第一电流镜组成，所 述的低压差线性稳压器包括运算放大器和第三NMOS晶体管，所述的第一电流镜包括 第四PMOS晶体管和第五PMOS晶体管，所述的运算放大器的正输入端接入所述的电 压信号，所述的运算放大器的输出端与所述的第三NMOS晶体管的栅极相连接，所述 的第三NMOS晶体管的源极与所述的运算放大器的负输入端相连接，所述的第三NMOS 晶体管的源极与所述的运算放大器的负输入端的公共连接端与所述的第二电阻的第一 端相连接，所述的第二电阻的第二端接地，所述的第三NMOS晶体管的漏极分别与所 述的第四PMOS晶体管的源极、所述的第四PMOS晶体管的栅极及所述的第五PMOS 晶体管的栅极相连接，所述的第四PMOS晶体管的漏极和所述的第五PMOS晶体管的 漏极分别接电源，所述的第五PMOS晶体管的源极输出所述的第一电流信号。