[发明专利]一种水半夏的组培快繁法无效
| 申请号: | 201010136812.0 | 申请日: | 2010-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN101803571A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
| 发明(设计)人: | 陈集双;张立红;丁伟;田庆常 | 申请(专利权)人: | 浙江理工大学 |
| 主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人: | 金祺 |
| 地址: | 310018 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半夏 组培快繁法 | ||
1.一种水半夏的组培快繁法,其特征是依次包括如下步骤:
1)、新鲜的水半夏块茎经消毒处理后,于无菌条件下切割成块,得块茎I;然后将块茎I接种于分化培养基上;
所述分化培养基为:MS培养基+6-苄氨基嘌呤1.0~2.0mg/L+α-萘乙酸0.2~0.5mg/L+蔗糖25~35g/L+琼脂7.0g/L,pH 5.6~5.8;
2)、待块茎I上长出0.1~0.3cm高的芽头时,将块茎I分切成块茎II,所述每个块茎II上带有1~2个芽头;然后将块茎II接种于丛生芽培养基上,促使芽头发育成丛生芽;
所述丛生芽培养基为:MS培养基+6-苄氨基嘌呤1.0~2.0mg/L+α-萘乙酸0.1~0.3mg/L+蔗糖25~35g/L+琼脂7.0g/L,pH 5.6~5.8;
3)、待块茎II上的丛生芽长至3~4cm时,将块茎II转入生根培养基中培养;
所述生根培养基为:MS培养基+吲哚丁酸0.2~0.4mg/L+α-萘乙酸0.1~0.2mg/L+活性碳0.3g/L+蔗糖25~35g/L+琼脂7.0g/L,pH 5.8~6.0;
所述步骤1)~步骤3)的培养条件均为:培养温度为25±4℃,光强1500lx~2000lx,光照时间12h/d;
4)、待整个水半夏植株高度为5~7cm,便可通过常规的室外炼苗获得可栽培的水半夏植株。
2.根据权利要求1所述的水半夏的组培快繁法,其特征是:步骤1)中块茎I在分化培养基上出芽的同时将生长变大,得到带芽头且培养变大的块茎I;将上述带芽头且培养变大的块茎I再次分切成新的块茎I,转入另一份分化培养基中培养;然后再进行步骤2)。
3.根据权利要求1或2所述的水半夏的组培快繁法,其特征是:
所述分化培养基为:MS+6-BA 1.5mg/L+NAA 0.3mg/L+蔗糖30g/L+琼脂7.0g/L,PH 5.6~5.8;
所述丛生芽培养基为:MS+6-BA 1.5mg/L+NAA 0.2mg/L+蔗糖30g/L+琼脂7.0g/L,PH 5.6~5.8;
所述生根培养基为:MS+IBA 0.3mg/L+NAA 0.2mg/L+活性碳0.3g/L+蔗糖30g/L+琼脂7.0g/L,PH 5.8~6.0。
4.根据权利要求3所述的水半夏的组培快繁法,其特征是所述步骤1)的消毒处理为:将 水半夏块茎经体积浓度75%的酒精浸泡0.5~1min,无菌水冲洗3~4次,再经质量浓度0.1%的氯化汞水溶液消毒处理10min,无菌水冲洗6~8次。
5.根据权利要求4所述的水半夏的组培快繁法,其特征是:培养温度为25±2℃。
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